| 참조번호 | 품목분류4과-325 |
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| 시행일자 | 2026-01-23 |
| 시행기관 | 관세평가분류원 |
| 결정세번 | 8486.90-2040 |
| 품명 | Coil; Cu; Cu Coil 4N; CN; |
| 물품설명 |
- 띠 형태의 Copper Plate를 원형으로 가공한 Coil면과 전류 혹은 Radio Frequency의 인가 및 PVD 챔버와 구조적인 결합을 하기 위한 7개의 Boss가 용접으로 결합되어 있는 물품
- 기능 : 신청물품에 전류의 인가를 통해 Inductive Electron Feild를 형성하여 Plasma의 밀도를 증가시키며, Plasma가 Wafer쪽으로 집중될 수 있도록 유도하며, Sputtering Target에서 Sputtering되어 나온 금속 입자(이온)의 직진성을 증가시켜 Wafer에 형성되는 금속막의 균일성을 향상시킴 |
| 결정사유 |
- 관세율표 제16부 주 제2호의 나목에서는 “특정한 기계나 동일한 호로 분류되는 여러 종류의 기계(제8479호나제8543호의 기계를 포함한다)에 전용되거나 주로 사용되는 부분품은 그 기계가 속하는 호나 경우에 따라 제8409호ㆍ제8431호ㆍ제8448호ㆍ제8466호ㆍ제8473호ㆍ제8503호ㆍ제8522호ㆍ제8529호ㆍ제8538호로 분류한다.”고 규정하고 있음.
- 관세율표 제8486호에는 “반도체 보울(boule)이나 웨이퍼(wafer)ㆍ반도체디바이스ㆍ전자집적회로ㆍ평판디스플레이의 제조에 전용되거나 주로 사용되는 기계와 기기, 이 류의 주 제11호 다목에서 특정한 기계와 기기, 그 부분품과 부속품”이 분류되고, • 같은 호 해설서에 “(B) 반도체디바이스나 전자집적회로 제조용 기계와 기기 이 그룹에는 반도체디바이스나 전자집적회로 제조용 기계와 기기를 분류한다. 예를 들면, (1) 막 형성 장비(film formation equipment) : 이 장비는 웨이퍼(wafer) 가공 공정에서 웨이퍼(wafer) 표면에 여러 가지 막을 형성한다. 이러한 막은 완성된 디바이스 상에서 도체, 절연체와 반도체 역할을 한다. 이들 막은 표면, 금속과 에피택시 층(epitaxial layer)의 산화물과 질화물 등을 포함하고 있다. 아래에 예시한 공정과 장비들은 특정 타입의 막만을 생성하도록 제한된 것은 아니다. ..(중략).. (c) 물리기상증착(PVD : Physical Vapour Deposition) 장비 : 어떠한 고체를 기화시킴으로써 얻는 다양한 형태의 막을 증착시킨다. ”고 설명하고 ․ 또한 “(E) 부분품과 부속품”에서 “부분품의 분류에 관한 일반규정(제16부 총설 참조)에 의하여 이 호에 분류하는 기계와 기기의 부분품과 부속품을 포함한다. 이에 따라 이 호에 분류하는 부분품과 부속품에는 특히, 이 호의 기계와 기기에 전용되거나 주로 사용하는 툴홀더(tool holder)와 그 밖의 특수 부착물 등을 포함한다.”라고 해설함 - 본 물품은 반도체 웨이퍼에 금속을 증착하는 기기에 장착되어 금속입자(이온)의 직진성을 증가시켜 웨이퍼상의 막 두께를 균일하게 하는 역할을 수행하는 반도체 제조용 증착장비의 부분품에 해당하므로 관세율표 해석에 관한 통칙 제1호 및 제6호에 따라 제8486.90-2040호에 분류함. 끝. |
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