| 참조번호 | 품목분류3과-4708 |
|---|---|
| 시행일자 | 2025-09-18 |
| 시행기관 | 관세평가분류원 |
| 결정세번 | 8541.51-1000 |
| 품명 | TMR sensor; HHS-TLS113LMCAA-0010; JP; |
| 물품설명 |
- 반도체 재료인 실리콘(Si) 기판 위에 반도체 일괄공정으로 제조한 TMR 센서를 리드프레임 위에 장착하고 와이어 본딩한 후 에폭시 수지로 몰딩한 패키지 형태의 4단자 물품(크기 : 0.8×0.4×0.27㎜)
- 주요 사양 - (용도) 자동차 및 산업자동화장비 등의 정밀기기에 장착되어 터널자기저항 효과*를 이용하여 정밀한 위치 감지 등의 기능 수행 * 터널자기저항(Tunnel Magneto resistance) 효과 : 얇은 절연층으로 분리된 두 개의 강자성체층(Ferromagnetic Layer) 사이에서 전자가 터널링(quantum tunneling)하면서 발생하는 저항 변화를 이용하여 자기장의 크기와 방향을 측정하는 원리 - 구성요소 재질 및 기능 - TMR die의 내부구조 - 접속도 ① Vout1 : 자기장의 변화량에 따른 선형 형태의 출력 전압* ② Vout2 : 자기장의 변화량에 따른 선형 형태의 출력 전압* * Vout1과 Vout2의 전압차의 절대값을 이용해 거리 계산 ③ GND : 접지단자 ④ VDD : 센서에 필요한 전원공급단자(Typical 1V, Max 5.5V) ※ 4개의 TMR element 외에 다른 능동·수동 소자는 포함되어 있지 않음 - 제조공정 1) 전공정(Wafer Process) : 실리콘 웨이퍼 기반에서 물리기상증착(PVD), 평탄화(연마 공정), 포토리소그래피, 식각(etching) 등의 반도체 기술에 의한 제조 공정 ① 1~4단계 : 실리콘 웨이퍼 기판 위에 하부 차폐막 및 하부 리드를 형성 ② 5~8단계 : TMR을 증착하고 상부 차폐막, 상부 리드 및 요크를 형성 ③ 9~11단계 : 보호막과 접점을 형성 2) 후공정(Packaging Process) |
| 결정사유 |
- 관세율표 제85류 주 12호 가목에서 “1) 반도체 디바이스란 전계(電界)의 작용에 따른 저항의 변화로 작동을 하는 반도체 디바이스나 반도체 기반의 트랜스듀서를 말한다. … 반도체 기반의 트랜스듀서란 개별 반도체 기반 센서·반도체 기반 액츄에이터·반도체 기반 공진기·반도체 기반 오실레이터로서 반도체를 기반으로 한 디바이스로 별개의 형태를 갖추었으며, 고유의 기능을 수행하며, 어떠한 종류의 물리적·화학적 현상·활동을 전기적 신호로 바꾸거나 전기적 신호를 물리적인 현상·활동으로 바꾸는 기능을 하는 디바이스를 말한다.”라고 설명하면서,
‧ 같은 호 다목에서“반도체 기반 센서는 반도체 디바이스의 한 형태로서, 반도체 덩어리 상태나 반도체 표면에 만들어져서 물리적·화학적 양을 감지해 이를 전기신호(전기적 속성의 변화나 기계구조 변위의 결과로 발생)로 변환하는 기능을 하는 마이크로전자나 기계 구조물로 구성된다.”라고 설명하고 있음 - 관세율표 제8541호에는 “반도체 디바이스(예: 다이오드ㆍ트랜지스터ㆍ반도체 기반 트랜스듀서) … ”가 분류되고, 소호 제8541.51호에는 “반도체 기반 트랜스듀서”가 세분류되며, ․ 같은 호 해설서에서 “반도체 기반의 트랜스듀서는 독립적인 기술적 유닛(unit)의 특성을 가지고 있으며, 가공하지 않은 다이 제품(bare die product)이나 패키지(package)로 제시될 수 있다. 반도체 기반의 트랜스듀서를 구성하는 부품은 모든 의도와 목적상 분리불가능하게 결합되어야만 한다. 즉 이론적으로는 일부 구성부품을 제거하고 대체할 수는 있지만 정상적인 제조 조건에서는 비경제적이다.”라고 설명하면서, ․ “센서의 한 예는 반도체 기반 음향 센서로서 실리콘 마이크로폰에 사용되는 마이크로전자기계시스템(Micro-Electro-Mechanical Systems)(MEMS) 소자이다. … 센서의 또 다른 형태는 가스 센서(gas sensor)인데, 이것은 전자 공여체/수용체(donors/acceptors) 흡착(adsorption)을 이용하여 표면적이 매우 높은 그래핀(graphene)의 저항(resistance)을 변화시킨다.”라고 설명하고 있음 - 따라서, 본 물품은 반도체 기판 위에 TMR element를 형성하고, 반도체 기술에 의해 제조된 TMR 센서로, 터널자기저항 효과를 통해 자기장을 감지하여 전기적 신호로 변환하는 반도체 기반 트랜스듀서(센서)에 해당하므로 관세율표 해석에 관한 통칙 제1호 및 제6호에 따라 제8541.51-1000호로 분류함 |
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