| 참조번호 | 품목분류4과-1299 |
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| 시행일자 | 2025-03-19 |
| 시행기관 | 관세평가분류원 |
| 결정세번 | 8486.90-2040 |
| 품명 | Hatch Shield Reactive; Hatch Shield Reactive (P/N : 1037-53108); 상단 외경 96.5㎜, 내경 90.5㎜ / 하단 외경 500㎜, 내경 494㎜; |
| 물품설명 |
- 개요 : 본 물품은 반도체 제조용 스퍼터링 장비인 FC7100 장비 내 Wafer PVD Chamber의 Lid 측에 장착되어 물리증착 공정 중에 Target의 금속 입자가 Wafer 이외의 Chamber 내부에 증착되는 것을 막아주는 역할을 함 - 용도 : 적절히 차폐된 공간을 형성시켜 Chamber 내부 벽면을 보호 → Chamber의 안정적인 Condition을 유지시키고, 막 침투를 방지하여 Chamber의 Particle 발생 및 고장을 예방함 - 재질 : 내측은 알루미늄 합금(A5052), 외측은 산화알루미늄(Al203) Blast |
| 결정사유 |
- 관세율표 제8486호에는 “반도체 보울(boule)이나 웨이퍼(wafer)ㆍ반도체디바이스ㆍ전자집적회로ㆍ평판디스플레이의 제조에 전용되거나 주로 사용되는 기계와 기기, 이 류의 주 제11호 다목에서 특정한 기계와 기기, 그 부분품과 부속품”이 분류되고, ․같은 호 해설서에 “(B) 반도체디바이스나 전자집적회로 제조용 기계와 기기 이 그룹에는 반도체디바이스나 전자집적회로 제조용 기계와 기기를 분류한다. 예를 들면, (1) 막 형성 장비(film formation equipment) : 이 장비는 웨이퍼(wafer) 가공 공정에서 웨이퍼(wafer) 표면에 여러 가지 막을 형성한다. 이러한 막은 완성된 디바이스 상에서 도체, 절연체와 반도체 역할을 한다. 이들 막은 표면, 금속과 에피택시 층(epitaxial layer)의 산화물과 질화물 등을 포함하고 있다. 아래에 예시한 공정과 장비들은 특정 타입의 막만을 생성하도록 제한된 것은 아니다. (a) 산화로(爐) : 웨이퍼(wafer) 위에 산화 막을 형성한다. 이 산화물(酸化物)은 인가된 산소와 증기로 웨이퍼(wafer) 최상층 분자 층에 화학반응으로 형성된다. (b) 화학기상증착(CVD : Chemical Vapour Deposition) 장비 : 이 장비는 높은 온도의 반응 체임버(chamber) 내에서 적절한 가스와 결합하여 만든 여러 가지 형태의 필름을 증착시키는 장치이다. 이 반응은 열화학적 기상 반응으로 이루어져 있다. 이러한 반응 작용은 상압(atmospheric pressure)이나 저압상태(LPCVD)에서 이루어질 수 있고 플라즈마(plasma) 화학증착(PECVD)을 이용할 수도 있다. (c) 물리기상증착(PVD : Physical Vapour Deposition) 장비 : 어떠한 고체를 기화시킴으로써 얻는 다양한 형태의 막을 증착시킨다. 예를 들면, (1) 증발증착장비 : 원료물질이 가열되어 막을 생성한다. (2) 증착(sputtering) 장비 : 이온이 있는 원료물질을 포격함으로써 막을 생성한다. ..(후략)..”라고 설명하고 있음 ․또한 “(E) 부분품과 부속품”해설에서 “부분품의 분류에 관한 일반규정(제16부 총설 참조)에 의하여 이 호에 분류하는 기계와 기기의 부분품과 부속품을 포함한다. 이에 따라 이 호에 분류하는 부분품과 부속품에는 특히, 이 호의 기계와 기기에 전용되거나 주로 사용하는 툴홀더(tool holder)와 그 밖의 특수 부착물 등을 포함한다.”라고 해설함 - 따라서, 본 물품은 스퍼터링 장비 내 Wafer PVD Chamber의 Lid 측에 장착되어 물리증착 공정 중에 Target의 금속 입자가 Wafer 이외의 Chamber 내부에 증착되는 것을 막아주는 역할을 수행하는 “도포·현상·증착·식각용 기기의 부분품과 부속품”으로 보아 관세율표 해석에 관한 통칙 제1호 및 제6호에 따라 제8486.90-2040호에 분류함 |
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