| 참조번호 | 품목분류3과-2035 |
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| 시행일자 | 2023-04-19 |
| 시행기관 | 관세평가분류원 |
| 결정세번 | 8541.29-9000 |
| 품명 | TRANSISTORS; IKW40N120H3; IKW40N120H3; CN; |
| 물품설명 |
ㅇ 물품의 개요
- 본 신청물품은 MOSFET 구조 입력부와 바이폴라 구조 출력부 구조인 IGBT 1개와 환류다이오드(Free Wheeling Diode) 1개로 구성된 IGBT모듈(전력낭비율 483W)로, 다양한 전원공급장치에 사용되어 전력을 스위칭하는 물품임. (신청물품 및 내부 구조도) (신청물품 블록다이어그램) |
| 결정사유 |
ㅇ 관세율표 제85류 주 제12호에서 ‘이 주에서 규정한 물품을 분류하는 경우 제8541호나 제8542호는, 제8523호의 경우를 제외하고, 특히 그 기능으로 보아 해당 물품을 포함하는 것으로 해석되는 이 표의 다른 어느 호보다 우선한다.’라고 규정하고 있음.
ㅇ 관세율표 제8541호에는 ‘반도체 디바이스(예: 다이오드ㆍ트랜지스터ㆍ반도체 기반 트랜스듀서), 감광성 반도체 디바이스(광전지는 모듈에 조립되었거나 패널로 구성되었는지 여부와 관계없이 포함한다), 발광다이오드[(엘이디), 다른 발광다이오드와 결합되었는지 여부과 관계없이 포함한다], 장착된 압전기 결정소자’가 분류되고, - 같은 호 해설서에서 ‘(Ⅱ) 트랜지스터(transistor) : 전류를 증폭ㆍ발진ㆍ주파수 변환ㆍ스윗칭시킬 수 있는 능력을 가진 3단자 소자와 4단자 소자이다.’라고 해설하면서, - ‘(3) 절연 게이트 양극성 트랜지스터(IGBT : Insulated Gate Bipolar Transistor). 한 개의 게이트 단자와 두 개의 부하 단자[에미터(emitter)와 컬렉터(collector)]로 구성된 3-단자 디바이스이다. 게이트와 에미터 단자에 적정한 전압을 부여함으로써, 한쪽 방향의 전류를 통제(즉, 접속과 차단)을 할 수 있다. IGBT 칩은 단일의 패키지(패키지형 IGBT 디바이스) 내에 다이오드를 내장하고 있을 수 있는데, 이것은 IGBT 디바이스를 보호하는 동시에 계속하여 트랜지스터로서 기능할 수 있도록 해준다.’라고 설명하고 있음. ㅇ 따라서, 본 건 물품은 전력 낭비율이 1와트를 초과하는 기타의 트랜지스터에 해당하므로, 관세율표 해석에 관한 통칙 제1호 및 제6호에 의거 제8541.29-9000호에 분류함 |
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