| 참조번호 | 품목분류3과-14165 |
|---|---|
| 시행일자 | 2020-05-04 |
| 시행기관 | 관세평가분류원 |
| 결정세번 | 8542.39-1000 |
| 품명 | High End GMR Wheel Speed Sensor ASIL B(D) ; TLE5045iC-R050 |
| 물품설명 |
ㅇ 본 물품은 하나의 실리콘 웨이퍼에 자기측정을 위한 GMR 저항체 4개 및 능동,수동소자를 단일 반도체 공정으로 집적한 후, 하나의 패키지로 몰딩한 모노리식 집적회로임
- 본물품 내부에는 GMR 저항체 4개(좌측 2개, 우측 2개)로 구성한 휘트스톤 브리지(Wheatstone Bridge) 회로, GMR 저항체가 감지한 아날로그 신호를 증폭하는 증폭기(pre-amplifier)와 아날로그 신호를 디지털 신호로 변환하는 변환기(Tracking ADC) 및 디지털 신호를 내부 처리 절차(speed·offset algorithm)에 따라 계산·보정하는 디지털 회로(D-core)가 구성되어 있고, 기타의 보조 기능을 수행하는 전원회로(PMU)·발진기(oscillator)·비교기(main comparator)·변조기(current modulator) 및 저역통과 필터(LP filter) 등이 형성되어 있음 - GMR 저항체는 반도체 제조공정 중 금속 층(metal layer)을 증착하는 과정에서 만들어지며, 니켈(Ni)·코발트(Co)·철(Fe) 등의 금속을 다층(multi-layer)으로 적층하여 저항체를 형성함 ㅇ 기능 - 모노리식 집적회로 내부의 양단에 GMR 저항체 4개(좌측 2개, 우측 2개)로 구성한 휘트스톤 브리지(Wheatstone Bridge) 회로가 외부 자기장의 변화를 아날로그 신호 형태로 측정하면, 내부에서 디지털 신호로 변환하여 처리하며, 각 저항체에서 측정되는 차이값을 이용하여 특정 신호레벨에서 집적회로 내부의 전류 소모량을 변화시켜 외부에 신호를 전달하며, 주로 회전체의 회전을 감지하기 위해 사용됨 (신청물품) (신청물품 블럭다이어그램) |
| 결정사유 |
ㅇ 관세율표 제85류 주 제9호에서 ‘1)모노리식(monolithic) 집적회로 : 회로소자[다이오드ㆍ트랜지스터ㆍ저항기ㆍ축전기ㆍ인덕턴스(inductance) 등]가 하나의 반도체 재료나 화합물 반도체 재료[예 : 도프된 실리콘, 비소화갈륨, 실리콘 게르마늄, 인화인듐]의 내부나 표면에 한 덩어리 상태로 집적되어 있으며, 분리가 불가능하도록 결합된 회로’라고 규정하면서, ‘이 주에서 규정한 물품을 분류하는 경우 제8541호나 제8542호는, 제8523호의 경우를 제외하고, 특히 그 기능으로 보아 해당 물품을 포함하는 것으로 해석되는 이 표의 다른 어느 호보다 우선한다.’라고 규정함
ㅇ 관세율표 제8542호는 ‘전자집적회로’를 규정하고 있고, - 같은 호 해설서에서 “전자집적회로는 수동소자나 수동부품과 능동소자나 능동부품을 고밀도로 조합시킨 초소형화된 장치이며, 단일유닛으로 간주하는 것이다.”라고 규정하고 있음 - 또한 모노리식 집적회로에 대해 “이것은 반도체 재료(예 : 도프된 규소)의 표면에 다이오드ㆍ트랜지스터ㆍ저항기ㆍ축전기ㆍ인덕턴스 등의 회로소자를 한데 모아서 불가분의 상태로 조합한 초소형 회로이다”라고 규정함 ㅇ 본 물품은 GMR 저항체 및 각종 능동,수동소자를 반도체 일괄공정으로 분리불가능한 상태로 집적한 기타의 모노리식 집적회로에 해당하므로 관세율표해석에관한통칙 제1호 및 제6호에 따라 HSK8542.39-1000호에 분류함 |
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