| 참조번호 | 품목분류3과-13956 |
|---|---|
| 시행일자 | 2020-04-27 |
| 시행기관 | 관세평가분류원 |
| 결정세번 | 8542.39-1000 |
| 품명 | High End GMR Wheel Speed Sensor ASIL B(D) ; TLE5046iC-PWM2-R050 ; |
| 물품설명 |
ㅇ 개요
- 5.34mm×3.71mm 크기의 플라스틱 패키지 내부에 실리콘 반도체 공정(BiCMOS process)으로 제조한 모노리식 집적회로 1개가 장착되어 있는 GMR(Giant Magneto Resistance) 센서 IC - 모노리식 집적회로 내부의 양단에 GMR 저항체 4개(좌측 2개, 우측 2개)로 구성한 휘트스톤 브리지(Wheatstone Bridge) 회로와 중앙에 GMR 저항체 1개로 구성한 방향감지 회로가 외부 자기장의 변화를 아날로그 신호 형태로 검출하면 이를 계산·보정한 후 디지털 신호로 변환하여 출력하는 기능을 수행하며, ABS(Anti-lock Braking System) 등의 차량 제어 시스템(vehicle control system)에서 회전체의 회전수와 회전 방향을 감지하는 용도로 사용됨 - GMR 저항체는 별도의 공정에서 제조되는 개별 소자가 아닌 모노리식 집적회로의 구성요소인 수동소자로, 반도체 제조공정 중 금속 층(metal layer)을 증착하는 과정에서 만들어지며, 니켈(Ni)·코발트(Co)·철(Fe) 등의 금속을 다층(multi-layer)으로 적층하여 저항체를 형성함 - GMR 저항체를 구성하는 금속 재료는 전자의 자전(spin) 방향이 서로 달라서 내부 자기장의 방향도 각각 다르므로 외부 자기장이 없는 경우에는 높은 저항치를 가지나, 외부 자기장을 가했을 때 내부 자기장이 외부 자기장과 동일한 방향으로 정렬되면 저항치가 급격히 작아하는 GMR 효과를 이용하여 외부 자기장을 감지함 - 모노리식 집적회로의 내부에는 GMR 저항체가 감지한 아날로그 신호를 증폭하는 증폭기(pre-amplifier)와 아날로그 신호를 디지털 신호로 변환하는 변환기(Tracking ADC) 및 디지털 신호를 내부 처리 절차(speed·offset algorithm)에 따라 계산·보정하는 디지털 회로(D-core)가 구성되어 있고, 기타의 보조 기능을 수행하는 전원회로(PMU)·발진기(oscillator)·비교기(main comparator)·변조기(current modulator) 및 저역통과 필터(LP filter) 등이 형성되어 있음 ㅇ 구성요소 및 기능 - VDD(1번 단자) : 전원 공급 - GND(2번 단자) : 접지 (신청물품) (신청물품의 내부 구조도) |
| 결정사유 |
ㅇ 관세율표 제85류 주 제9호 나목에서 ‘모노리식 집적회로’를 “회로소자가 하나의 반도체 재료나 화합물 반도체 재료의 내부나 표면에 한 덩어리 상태로 집적되어 있으며, 분리가 불가능하도록 결합된 회로”로 규정하고 있고,
- “이 주에서 규정한 물품을 분류하는 경우 제8541호나 제8542호는, 제8523호의 경우를 제외하고, 특히 그 기능으로 보아 해당 물품을 포함하는 것으로 해석되는 이 표의 다른 어느 호보다 우선한다.”고 규정하고 있음. ㅇ 관세율표 제8542호에는 ‘전자집적회로’가 분류되고, 같은 호 해설에서 “ ... 전자집적회로에는 메모리·마이크로 컨트롤러·제어회로·논리회로·게이트 어레이·인터페이스 회로 등이 있다.”고 설명하고 있으며, - “전자집적회로에는 다음의 것들을 포함한다. (I) 모노리식 집적회로 : 이것은 반도체 재료의 표면에 다이오드·트랜지스터·저항기·축전기·인덕턴스 등의 회로소자를 한데 모아서 불가분의 상태로 조합한 초소형 회로이다. ...”라고 해설하고 있고, - 모노리식 집적회로 제조공정 기술에 대해 “ ... 모노리식 집적회로에는 다음의 것을 포함한다. (ⅰ) 금속산화물 반도체(MOS 테크놀로지) (ⅱ) 바이폴라(bipolar) 테크놀로지로 만든 회로 (ⅲ) 바이폴라와 MOS 테크놀로지가 결합하여 만든 회로(BIMOS technology)”를 예시하고 있으며, - “바이폴라와 모스 테크놀러지 간의 보완적 관계는 고 집적된 바이폴라 회로의 속도와 저(低) 전력을 소모하는 시모스 회로가 결합된 양극성시모스(BICMOS)에서 더욱 명백하다.”고 해설하고 있음. ㅇ 본 물품은 실리콘을 재료로 양극성시모스(BiCMOS) 공정기술을 적용하여 트랜지스터·GMR 저항체 등의 능동소자 및 수동소자를 한 덩어리 상태로 집적하고 분리가 불가능하도록 결합한 초소형 회로이므로, 제8542호에서 규정하는 모노리식 집적회로의 범주에 포함됨. ㅇ 따라서 본 건 물품은 GMR 효과를 이용하여 자기장의 변동을 감지하는 모노리식 집적회로로서 프로세서와 컨트롤러·메모리·증폭기가 아닌 ‘기타’의 것으로 보아 관세율표의 해석에 관한 통칙 제1호 및 제6호에 따라 제8542.39-1000호에 분류함. |
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