| 참조번호 | 품목분류3과-6623 |
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| 시행일자 | 2019-08-27 |
| 시행기관 | 관세평가분류원 |
| 결정세번 | 8541.29-9000 |
| 품명 | TRANSISTOR ; BSM50GD120DN2E3226 ; |
| 물품설명 |
ㅇ 개요
- 350W의 전력 낭비율을 갖는 절연 게이트 양극성 트랜지스터(IGBT : Insulated Gate Bipolar Transistor) 6개와 이를 보호하기 위한 환류 다이오드(FWD : Free-Wheel Diode) 6개를 각각 병렬로 연결한 뒤 107.5mm×45mm×17mm 크기의 플라스틱 패키지로 모듈화하고 금속판과 입·출력 단자 17개를 부착한 물품 - 3상 모터를 구동하는 인버터의 부분품으로 전력을 스위칭하는 용도로 사용됨 - 정격전압(VCE) : 1200V - 정격전류(IC) : 50A - 총 전력낭비율 : 2100W (회로도) (신청물품) |
| 결정사유 |
ㅇ 관세율표 제85류 주 제9호에서 “이 주에서 규정한 물품을 분류하는 경우 제8541호나 제8542호는, 제8523호의 경우를 제외하고, 특히 그 기능으로 보아 해당 물품을 포함하는 것으로 해석되는 이 표의 다른 어느 호보다 우선한다.”고 규정하고 있고,
- 관세율표 제8541호에는 ‘다이오드·트랜지스터와 이와 유사한 반도체 디바이스, 감광성 반도체 디바이스, 발광다이오드, 장착된 압전기 결정소자’가 분류되며, 소호 제8541.29호에는 ‘기타’의 트랜지스터가 세분류되고, - 같은 호 해설에서는 “트랜지스터에는 다음의 것들을 포함한다. ... (3) 절연 게이트 양극성 트랜지스터 : 한 개의 게이트 단자와 두 개의 부하 단자로 구성된 3-단자 디바이스이다. 게이트와 에미터 단자에 적정한 전압을 부여함으로써, 한쪽 방향의 전류를 통제(즉, 접속과 차단)을 할 수 있다. IGBT 칩은 단일의 패키지 내에 다이오드를 내장하고 있을 수 있는데, 이것은 IGBT 디바이스를 보호하는 동시에 계속하여 트랜지스터로서 기능할 수 있도록 해준다.”라고 설명하고 있고, - “앞에서 설명한 디바이스는 단자나 도선을 장착하여 밀봉시킨 것이라든가, 장착되어 있지 않은 것, 조각으로 잘려 있지 않은 디스크상인지에 상관없이 이 호에 분류한다.”고 해설하고 있음. ㅇ 본 건 물품은 보호용 다이오드를 병렬로 연결한 절연 게이트 양극성 트랜지스터 6개를 단일의 패키지에 밀봉하고 17개의 금속 단자를 부착한 제품이므로 제8541호에서 규정하는 트랜지스터의 범주에 포함됨. ㅇ 따라서 본 물품은 전력낭비율이 1와트 이상인 ‘기타’의 트랜지스터로 보아 관세율표 해석에 관한 통칙 제1호 및 제6호에 따라 제8541.29-9000호에 분류함. |
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