| 참조번호 | 품목분류3과-5199 |
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| 시행일자 | 2019-07-12 |
| 시행기관 | 관세평가분류원 |
| 결정세번 | 8542.31-1000 |
| 품명 | DRIVE IC ; 6ED2230S12T ; |
| 물품설명 |
ㅇ 개요
- IGBT에 필요한 고전압(1200V) 전원을 부트스트랩(bootstrap)* 방식으로 공급하고, 마이크로 컨트롤러 유닛(MCU)의 신호(PWM)를 받아 상단(high side) 3개와 하단(low side) 3개 총 6개의 IGBT를 ON 또는 OFF 제어하는 기능을 수행하는 물품으로, 고출력 3상 모터의 구동에 사용됨 * 부트스트랩 : 직류전원 전압(+, -)을 역동적으로 변화(level shift) 시켜 트랜지스터 및 증폭기의 교류 출력전압 동작범위(output voltage swing)를 확장하기 위한 기술로, bootstrap diode가 bootstrap capacitor에 전류를 공급하면 capacitor 충전전압이 상승하는 원리를 이용 - 18.2mm×7.5mm×2.65mm 크기의 CMOS 공정을 적용한 모노리식 집적회로로, 28개 입출력 단자를 가지고 있으며, 리드 프레임 위에 단일 칩을 배치하고 와이어 본딩 후 플라스틱 수지로 몰딩하여 패키지 형성 - 칩 내부에 빠른 부트스트랩 동작을 위한 부트스트랩 다이오드 3개가 동일 제조공정을 통해 불가분의 상태로 조합되어 있음 - 과전류 보호(over current protection), 오류 감지·보고(fault reporting) 및 일정 시간 후 자동으로 오류상태를 해지하는 기능 내장 (신청물품의 패키지 내부 사진과 X선 사진) (신청물품의 패키지 외부 형태와 내부 구조도) ㅇ 구성요소 및 기능 - HIN(1번·2번·3번 단자) : 상단 IGBT 구동을 위한 MCU 제어입력 신호 - LIN(4번·5번·6번 단자) : 하단 IGBT 구동을 위한 MCU 제어입력 신호 - ITRIP(7번 단자) : 오류 감지 - RFE(8번 단자) : 오류 해제 - VCC(9번 단자) : 15V 입력 고정(fixed) 전원 - VSS(10번 단자) : 신호 접지 - COM(11번 단자) : 하단 IGBT 접지 - LO(12번·13번·14번 단자) : 하단 IGBT 구동을 위한 출력 신호 - NC(15번 단자) : 사용하지 않음(No Connection) - VS(16번·21번·26번 단자) : 상단 IGBT 접지 - HO(17번·22번·27번 단자) : 상단 IGBT 구동을 위한 출력 신호 - VB(18번·23번·28번 단자) : 부트스트랩 커패시터와 연결되어 상단 IGBT에 유동(floating) 전원을 공급 |
| 결정사유 |
ㅇ 관세율표 제85류 주 제9호 나목에서 ‘모노리식 집적회로’를 “회로소자가 하나의 반도체 재료나 화합물 반도체 재료의 내부나 표면에 한 덩어리 상태로 집적되어 있으며, 분리가 불가능하도록 결합된 회로”로 규정하고 있고,
- “이 주에서 규정한 물품을 분류하는 경우 제8541호나 제8542호는, 제8523호의 경우를 제외하고, 특히 그 기능으로 보아 해당 물품을 포함하는 것으로 해석되는 이 표의 다른 어느 호보다 우선한다.”고 규정하고 있음. ㅇ 관세율표 제8542호에는 ‘전자집적회로’가 분류되고, 같은 호 해설에서 “ ... 전자집적회로에는 메모리·마이크로 컨트롤러·제어회로·논리회로·게이트 어레이·인터페이스 회로 등이 있다.”고 설명하고 있으며, - “전자집적회로에는 다음의 것들을 포함한다. (I) 모노리식 집적회로 : 이것은 반도체 재료의 표면에 다이오드·트랜지스터·저항기·축전기·인덕턴스 등의 회로소자를 한데 모아서 불가분의 상태로 조합한 초소형 회로이다. ...”라고 해설하고 있고, - “모노리식 집적회로에는 다음의 상태로 제시하는 것도 있다. ... (ⅱ) 장착되지 않은 것 : 칩의 것(보통 직사각형의 것으로서 옆쪽의 길이가 일반적으로 수㎜ 정도의 것)”을 제시되는 상태로 예시하고 있으며, - 또한 제조공정 기술에 대해 “ ... 모노리식 집적회로에는 다음의 것을 포함한다. (ⅰ) 금속산화물 반도체(MOS 테크놀로지) 모스(MOS), 특히 시모스(CMOS : 상보성 금속 산화막 반도체)와 바이폴라 테크놀로지는 트랜지스터 제조에 관련된 일반적인 기술이다. ... ”고 설명하고 있음. ㅇ 본 건 물품은 실리콘을 재료로 CMOS 공정기술을 적용하여 다이오드·트랜지스터 등의 능동소자 및 수동소자를 한 덩어리 상태로 집적하고 분리가 불가능하도록 결합하였으므로, 제8542호에서 규정하는 모노리식 집적회로의 범주에 포함됨. ㅇ 따라서 본 건 물품은 모노리식 집적회로로서 IGBT의 동작을 제어하는 기능을 수행하는 ‘컨트롤러’로 보아 관세율표의 해석에 관한 통칙 제1호·제6호에 따라 제8542.31-1000호에 분류함. |
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