| 참조번호 | 품목분류2과-8895 |
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| 시행일자 | 2015-11-17 |
| 시행기관 | 관세평가분류원 |
| 결정세번 | 제8486.20-4000호 |
| 품명 | Multi chamber sputtering system ; ENTRON-EX W300 |
| 물품설명 |
ㅇ 물품개요
반도체 웨이퍼 위에 구리(CU) 혹은 탄탈(TA) 금속박막의 전기회로를 형성하는 300mm Wafer 전용 박막증착(sputtering)장비로서, - 구리(CU) 금속박막의 증착성과 전기적 특성을 극대화 하기 위해 sputter증착 Chamber에서 탄탈(TA)N베리어 금속막을 형성하고, CVD 증착 Chamber에서 코발트(Co) liner막을 증착 한 후 최종 sputter 증착 Chamber를 통해 구리(CU)금속 박막의 전기회로를 형성함 ㅇ 작동원리 1. Load Port를 통해 투입된 300mm웨이퍼를 Alignment가 프로세스 진행을 위해 정위치 조정한 후 웨이퍼 반송로봇을 이용하여 DEGAS Chamber로 이동시킴 2. DEGAS Chamber에서는 웨이퍼 표면에 부착된 수분 등을 가열하여 outgassing 한 후 REMOTE Plasma Chamber로 이동 3. REMOTE Plasma Chamberdptjsms 웨이퍼상의 자연산화막을 제거하고 Cool Chamber로 냉각한 후 PVD, CVD Chamber 로 이동하여 주목적인 금속 배선막을 형성하고 4. 잔류가스와 스트레스를 Anneal Chamber에서 제거하여 외부로 배출 ㅇ 신청물품 ㅇ 주요구성요소 1. ①~⑦,⑪ Chamber : 프로세스가 진행될 진공 Chamber 2. ⑧Load Port : 웨이퍼 투입 용도 3. ⑨Alignment : 웨이퍼 위치 조정 4. ⑩Robot : 웨이퍼 반송 용도 ㅇ 각 Chamber의 용도 및 기능 ① Remote Plasma Chamber 물리기상증착(PVD)방식으로 구리(cu) 막 증착전 밀착력을 향상하기 위해 웨이퍼 위의 자연 산화막을 제거하는 기능 ② Degas Chamber 예비 가열실로 물리기상증착(PVD) 프로세스 전에 웨이퍼 표면에 부착 된 수분 등을 Chamber Hatch에 장착된 lamp heater를 약 300도 전후로 가열하여 가스를 제거하는용으로 사용 ③,⑦,⑪ PVD Suptter Chamber 진공상태에서 Plasma를 이용하여 이온화 된 아르곤, 질소 등의 가스를 가속하여 타겟(cu, Ta)에 충돌시키고 원자를 분출시켜 금속막을 증착하고자 하는 반도체 웨이퍼상에 박막 형성 신청물품은 반도체 배선막으로 사용되는 구리 혹은 Barrier 막으로 사용되는 탈탄(Ta) 등의 증착을 주 목적으로 함 ④ Anneal Chamber 증착 프로세스 후에 가스를 투입하여 열전도에 의해 웨이퍼를 가열하는데 사용되며 증착 프로세스에서 형성 된 박막에 잔존하는 잔류가스와 스트레스를 제거하기 위해 반도체 웨이퍼를 hot Plate 위에 올려놓고 약 260전후로 가열하여 반도체의 손상을 제거(Annealing)함 ⑤ Cool Chamber 가열되어 뜨거워진 웨이퍼를 상온상태의 Chamber 또는 외부로 배출하기 위하여 아르곤 가스를 투입하여 가스의 열전도에 의해 냉각 시킴 ⑥ 화학기상증착(CVD) Chamber PVD Chamber에서 증착 되는 금속 박막(구리, 탈탄)의 특성을 향상시키기 위해 Barrier Metal막을 증착 ⑧ Load-Port 금속 배선막을 증착 하고자 하는 반도체 300mm 웨이퍼를 탑재한 카세트의 투입과 배출, 카세트의 도어를 열고 닫는 역할 ⑨ Alignment 프로세스 진행을 위해 투입되는 웨이퍼의 위치와 프로세스가 완료된 웨이퍼를 배출시 파손을 막기 위해 부착된 센서가 웨이퍼를 인식하여 위치를 조정하는 역할 ㅇ 각 프로세서 진행순서 ⑧Load-Port→⑨Alignment→② Degas Chamber→ ① Remote Plasma Chamber→⑤Cool Chamber→⑦PVD Suptter Chamber→⑥CVD Chamber→④Anneal Chamber→ ⑪ PVD Suptter Chamber→⑤ Cool Chamber→③PVD Suptter Chamber→ ⑧ Load-Port |
| 결정사유 |
ㅇ 관세율표 제84류 주 제9호 라목에서 “제8486호의 표현을 만족하는 기계는 이 표의 다른 호에 분류하지 아니하며 제8486호에 분류한다”고 규정하고
ㅇ 관세율표 제8486호의 용어에는 “ ...반도체디바이스ㆍ전자집적회로 또는 평판디스플레이의 제조에 전용 또는 주로 사용되는 기계와 기기”를 분류토록 규정함 - 같은호 해설서 B) 반도체 디바이스 또는 전자집적회로 제조용 기계와 기기 그룹에서, “1) 막 형성 장비”에 대하여 “이 장비는 웨이퍼 가공 공정에서 웨이퍼 표면에 여러가지 막을 형성한다. 이러한 막은 완성된 디바이스 상에서 도체, 절연체 및 반도체 역할을 한다. 이들 막은 표면, 금속 및 에피택셜층의 산화물과 질화물 등을 포함하고 있다. 아래에 예시한 공정과 장비들은 특정 타입의 막만을 생성하도록 제한된 것은 아니다.“고 해설하고 - 막형성 장비로, “a)산화로 : 웨이퍼 위에 산화막을 형성, b)화학기상증착(CVD) 장비 : 높은 온도의 반응 쳄버 내에서 적절한 가스와 결합하여 만들어진 여러가지 형태의 필름을 증착시키는 장치, c) 물리기상증착(PVD) 장비 : 어떠한 고체를 기화시킴으로써 얻어지는 다양한 형태의 막을 증착시키는 장치로 1)증발증착장비, 2)스퍼터링 장비 : 이온이 있는 원료물질을 포격함으로써 막을 생성” 등을 예시함 - 소호 제8486.20호의 용어에는 “반도체 디바이스 또는 전자집적회로 제조용 기계와 기기”를 분류토록 규정함 ㅇ 신청물품은 PVD, CVD 방식으로 반도체 웨이퍼 위에 구리 및 탄탈 금속박막을 형성, 증착하는 기기이므로 제8486.20호의 “반도체 디바이스 또는 전자집적회로 제조에 사용 되는 기기”에 분류되며 - HSK를 결정함에 있어서 주기능을 살펴보면, 본 물품은 PVD Suptter Chamber(3개), CVD Chamber외에 산화막 식각, 가열, 건조, 냉각, 가스제거등의 기능을 하는 8개 챔버가 하나로 결합되어 제시된 물품으로 - 챔버 수량이나 제조목적 등으로 볼 때 주기능은 금속 배선막 형성을 위한 PVD Chamber(3개), CVD Chamber에 있으며 식각, 가열, 냉각, 가스제거 등의 기능을 하는 챔버들은 막형성 공정의 효율성을 위한 보조기능을 하는 챔버에 해당됨 ㅇ 따라서 본 물품은 “반도체 웨이퍼 위에 막을 형성하고 금속을 증착하는 기계“에 해당하므로 관세율표 해석에 관한 통칙 제1호(제84류 주 제9호 라목, 제8486호의 용어) 및 통칙 제6호에 따라 제8486.20-4000호에 분류함 |
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