| 참조번호 | 품목분류2과-4201 |
|---|---|
| 시행일자 | 2015-06-11 |
| 시행기관 | 관세평가분류원 |
| 결정세번 | 8486.20-7000 |
| 품명 | 태양전지셀 제조(PN접합 및 PSG 제거)용 장비 ; InOxSide NIAK Release 11 (모델 ; #140096(13856)) ; 독일 |
| 물품설명 |
ㅇ 물품 개요
- 태양전지셀 제조공정에서 태양전지 웨이퍼의 표면조직화(texturing) 및 PN 접합(확산공정)이 끝난 상태에서 웨이퍼 표면의 산화막(PAS - Phospho Silicate Glass)을 제거함과 더불어 웨이퍼에 형성된 P층과 N층을 전기적으로 분리(junction isolation)하는 공정에 사용되는 기기 - 식각(etching) 공정을 통하여 웨이퍼 후면의 emitter(N)층 제거 및 P층을 평탄화함으로써 P층과 N층을 전기적으로 분리하며 화학약품을 사용하여 표면의 산화막을 제거 ㅇ 구성요소 : 4개 모듈과 9개 bath로 구성 ① 매체공급모듈 : 약품공급장치, 제품 투입부 및 냉각기 등으로 구성되어 process 부에서 필요로 하는 화학약품(HF, HNO3, H2SO4, 등) 공급 및 처리하기 위한 wafer 투입 및 이동을 위한 구동부 ② Process 모듈 : 매체 공급 모듈로부터 wafer와 약품을 공급받아 필요한 공정(접합제거 및 산화막 제거) 수행 ③ Cleaning 모듈 : 처리가 끝난 웨이퍼를 초순수를 이용하여 세척 ④ Drying 모듈 : 세척이 끝난 웨이퍼를 air를 이용하여 건조시키는 부분 ㅇ 용도 및 기능 - 재료 상태인 태양전지 웨이퍼에서 태양전지 셀을 제조하는 공정(표면 texturing -> Emitter formation -> Junction isolation & PSG removal -> 반사방지 코팅 -> 스크린 프린팅 -> 셀 테스트 선별) 중 Junction Isolation & PSG removal 단계에서 사용 - 물품의 process bath에서 화학약품(HF, HNO3, H2SO4, DI)을 이용하여 후면 식각(etching)을 함으로써 P층과 N층을 전기적으로 분리(Edge isolation) 및 후면 평탄화 공정을 진행하고 - PSG(Phospho Silicate Galss; 도핑과정에서 웨이퍼 표면의 실리콘과 인이 고온의 열처리로 생기는 부산물층)를 화학약품으로 제거 - 식각 공정 후 초순수를 이용, 웨이퍼를 세정하고 blower에 의하여 건조 |
| 결정사유 |
ㅇ 본건 물품은 태양전지셀 제조공정에서 표면조직화(texturing) 및 PN 접합(확산공정)이 끝난 상태의 웨이퍼에서 습식 식각 방식으로 웨이퍼에 형성된 P층과 N층을 전기적으로 분리(junction isolation)하는 한편, PSG 층을 화학반응에 의하여 제거한 후 세척 및 건조하는 기기임
ㅇ 관세율표 제8486호에는 “반도체 디바이스, 전자집적회로의 제조에 전용 또는 주로 사용되는 기계...” 등이 분류되며, 관세율표 제84류 주9 가항에 “제85류의 주8호 가목 및 나목의 “반도체디바이스”와 “전자집적회로”의 표현은 이 주 및 제8486호에서도 사용된다. 다만, 이 주 및 제8486호의 목적에 따라 “반도체디바이스”는 감광성 반도체 디바이스와 발광다이오드를 포함한다.”고 규정하므로 본건 물품은 제8486.20호의 “반도체 디바이스나 전자집적회로 제조용 기계”에 해당함 ㅇ 또한 본건 물품은 습식 식각방식에 의하여 웨이퍼의 일부를 제거하는 기기이므로 관세율표해석에관한통칙 1 및 6의 규정에 의거 반도체 웨이퍼를 습식 식각, 현상, 스트리핑하거나 세척하는 기계(제8486.20-7000호)로 분류함 |
| 이미지건수 | 1 |
| 관련 이미지 |
|