| 참조번호 | 품목분류3과-777 |
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| 시행일자 | 2014-03-12 |
| 시행기관 | 관세평가분류원 |
| 결정세번 | 8541.29-9000 |
| 품명 | IGBT Module, IKW20N60H3 |
| 물품설명 |
- IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)와 Diode가 병렬 연결되어, 3단자 장착 후 플라스틱으로 Packing된 스위칭 모듈
* IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor) : 소수 캐리어의 주입으로 모스 전계 효과 트랜지스터(MOSFET)보다 동작 저항을 작게 할 수 있는 3단자 양극성-MOS 복합 반도체 소자 * Diode : 부하전류를 전류(電流)시키기 위한 환류다이오드 - Power dissipation rates(전력낭비율) : 85w |
| 결정사유 |
- 관세율표 제8541호에는 “다이오드ㆍ트랜지스터와 이와 유사한 반도체 디바이스, …”가 분류되고,
- 같은 호 해설에서 (Ⅱ)트랜지스터에 대해 “전류를 증폭ㆍ발진ㆍ주파수변환 또는 스윗칭 시킬 수 있는 능력을 가진 3단자소자 또는 4단자 소자이다. 트랜지스터는 제3의 단자에 전계를 가하여 다른 두 개의 단자간의 저항을 변화시켜 이에 의하여 작동한다. 부가된 제어신호 또는 자계는 저항의 변화에 의하여 생기는 작동보다 약하므로 증폭작용이 일어난다.”고 설명하며, ‘전계효과 트랜지스터’를 예시함 - 또한, “앞에서 설명한 디바이스는 단자 또는 도선(導線)을 장착하여 밀봉시킨 것(components)이라든가, 장착되어 있지 아니한 것(elements) 또는 소편으로 잘려있지 않는 디스크상(wafers)인지의 여하를 불문하고 이 호에 분류된다.”고 설명함 - 본 물품은 다이오드와 트랜지스터로 구성되어 3단자 장착 후 플라스틱으로 Packing한, 전류를 스윗칭시켜 주는 트랜지스터로, 전력낭비율이 1w 이상에 해당하므로, 관세율표 해석에 관한 통칙 제1호 및 제6호에 따라 제8541.29-9000호에 분류함 |
| 이미지건수 | 1 |
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