| 참조번호 | 품목분류2과-38 | ||||
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| 시행일자 | 2014-01-03 | ||||
| 시행기관 | 관세평가분류원 | ||||
| 결정세번 | 6815.99-0000 | ||||
| 변경내역 |
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| 품명 | Articles of silicon carbide; inner cover; KK-4573; U.S.A | ||||
| 물품설명 |
반도체용 유기금속화학기상증착장비(MOCVD)장비 내에서 가공될 Wafer를 보호하며 발열체 역할을 하는 탄화규소(SiC, 99%이상) 재질의 부채꼴 모양의 소모성 물품
- 제조공정 ·(1차 공정) SiC 원판 생성(기상합성법의 증착에 의함) 고온(1,300℃~1,400℃)ㆍ고압(200torr) 상태에서 160～200시간동안 기체상 태의 규소(Si)를 탄소(C)와 화학반응시켜 탄화규소(SiC) 원판을 생성 ·(2차 공정) 표면가공 탄화규소(SiC) 원판을 웨이퍼 모양의 홈을 파고 테두리 홈을 만들기 위한 절단(선반가공) → 표면가공 → 밀링 → 세척 순으로 표면 가공하여 완성 |
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| 결정사유 |
- 관세율표 제6815호에는 “석제품이나 그 밖의 광물성 재료의 제품(탄소섬유·탄소섬유의 제품·이탄제품을 포함하며, 따로 분류되지 않은 것으로 한정한다)”이 분류됨
- HS해설서 제68류 총설에는 ‘(D) 제28류의 특정재료(예: 인조연마재)로 제조한 물품, 이들 물품과 완제품의 대부분은 구성재료의 성질보다는 형상을 변형시키는 가공방법(예: 조형, 성형)에 의하여 만들어진다.’고 설명하고 있음 - 본 물품은 약 1,300~1,400℃에서 기상합성법으로 탄화규소(SiC) 원판을 제작하고 선반가공·표면가공·밀링 등 표면가공을 하여 제조한 Wafer 를 보호하며 발열체 역할을 하는 소모성 부품으로 제28류의 탄화규소 원판의 형상을 변형시키는 가공방법에 의하여 만들어진 광물성 재료의 제품임 - 관세율표 제84류의 제외규정 주 제1호 가목 및 동류의 HS해설서 총설에서 “제68류의 밀스톤·그라인드스톤 또는 그 밖의 물품(other articles)“을 제외토록 규정하고 있으므로 제84류에서 제외됨 - 따라서, 본 물품은 “그 밖의 광물성 재료의 제품”으로 보아 관세율표의 해석에 관한 통칙 제1호 및 제6호에 의거 제6815.99-0000호에 분류함 |
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| 이미지건수 | 1 | ||||
| 관련 이미지 |
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