| 참조번호 | 품목분류2과-6480 |
|---|---|
| 시행일자 | 2013-08-28 |
| 시행기관 | 관세평가분류원 |
| 결정세번 | 8486.20-9900 |
| 품명 | Laser selective emitter M/C ; LTDP-3300-H |
| 물품설명 |
- 본품은 Solar cell 제조공정시 실리콘 웨이퍼에 레이저를 조사하여 Selective emitter 공정을 행하는 장비로서,
- 공정 Flow는 Wafer loading → Wafer pre-align → Vacuum on → Transfer to vision zone → Vision align → Transfer to laser zone → Laser process → Transfer to unloading zone → Vacuum off → Wafer unloading임 ※ Selective emitter 공정 : PSG removal 공정 전인 Junction formation(에미터층 형성)이 완료된 웨이퍼상에 국부적으로 레이저를 조사하여 불순물을 확산시켜 선택적 에미터를 형성하는 것으로, 결정질 태양전지의 경우 전극 형성부위의 접촉저항을 감소, 전자 수집율 증가 및 표면에서의 재결합 손실을 감소시켜 효율을 증가시키기 위한 공정 |
| 결정사유 |
- 관세율표 제84류 주9에서 “제16부의 주 제1호와 제84류의 주 제1호의 규정에 따라 적용될 호가 정하여지는 경우를 제외하고, 제8486호의 표현을 만족하는 기계는 이 표의 다른 호로 분류하지 않으며, 제8486호로 분류한다.”라고 규정하고 있고,
- 제8486호에는 “반도체 보울(boule)이나 웨이퍼(wafer)·반도체디바이스·전자집적회로·평판디스플레이의 제조에 전용되거나 주로 사용되는 기계와 기기, 이 류의 주 제9호다목에서 특정한 기계와 기기, 그 부분품과 부속품”이 분류됨 - 본건 물품은 태양전지용 실리콘 웨이퍼 표면 위에 높은 에너지의 레이저광을 조사하여 실리콘 웨이퍼 표면의 일부에 선택적으로 불순물을 확산시키는 장비임 - 관세율표 제8486.20호에는 반도체 디바이스 제조용의 기계가 분류되는 바, 본건 물품은 태양전지용 실리콘 웨이퍼 표면에 레이저 빔을 조사하여 확산물질을 실리콘 웨이퍼 속으로 침투시키는 기기이므로 제8486.20호의 반도체 디바이스 제조용 기계에 해당함 - 따라서 본건 물품은 관세율표해석에관한통칙 1 및 6의 규정에 의거 기타의 반도체 디바이스 제조용 기기(제8486.20-9900호)로 분류함 |
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