| 참조번호 | 품목분류1과-897 |
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| 시행일자 | 2013-05-01 |
| 시행기관 | 관세평가분류원 |
| 결정세번 | ㅇ8541.29-9000 |
| 품명 | ㅇIGBT Module(DM2G100SH6N) |
| 물품설명 |
ㅇ물품 개요
-IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)와 FWD(Free Wheeling Diode)가 두쌍으로 직렬연결되어 2pack을 이루고 있는 IGBT 모듈 ㅇ물품 이미지 ㅇ구성요소 및 기능 -IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor) : 소수 캐리어의 주입으로 모스 전계 효과 트랜지스터(MOSFET)보다 동작 저항을 작게 할 수 있는 3단자 양극성-MOS 복합 반도체 소자. -FWD(Free Wheeling Diode) : 부하전류를 전류(電流)시키기 위한 환류다이오드 -기능 : 고전력 스위칭용 반도체로서 고주파 전력시스템의 스위칭 중에 발생하는 손실, 잡음을 감소시킴. -용도 : 용접기, 산업용 고전력시스템, 고전력 SMPS UPS, 공장설비 등에서 전력변환(DC↔AC)이 필요한 기기의 인버터 단에 사용됨. ㅇ주요 사양 -VCES(Collecor-Emitter Voltage) : 600V -VGES(Gate-Emitter Voltage) : ±20V -PD(Maximum Power Dissipation, TC = 25℃) : 480W -TSC(Short Circuit Withstand Time) : 10㎲ -Dimension : 93×32×31(㎜) |
| 결정사유 |
ㅇ관세율표 제85류 주8은 ‘다이오드ㆍ트랜지스터와 이와 유사한 반도체 디바이스”라 함은 전계의 작용에 따른 저항의 변화로 작용을 하는 반도체 디바이스를 말한다.(중략) 이 주에서 규정한 물품을 분류하는 경우 제8541호 또는 제8542호는, 제8523호의 경우를 제외하고, 특히 그 기능으로 보아 해당 물품을 포함하는 것으로 해석되는 이 표의 다른 어느 호보다 우선한다.’고 규정하고 있음.
ㅇ관세율표 제8541호에는 ‘다이오드ㆍ트랜지스터와 이와 유사한 반도체 디바이스, 감광성 반도체 디바이스(광전지는 모듈, 패널에 조립되었는지 여부와 관계 없이 포함한다), 발광다이오드 및 장착된 압전기 결정소자’가 분류되며, -동 호 해설서에서는 ‘(Ⅱ)트랜지스터 : 전류를 증폭ㆍ발진ㆍ주파수변환 또는 스윗칭 시킬 수 있는 능력을 가진 3단자소자 또는 4단자 소자이다. 트랜지스터는 제3의 단자에 전계를 가하여 다른 두 개의 단자간의 저항을 변화시켜 이에 의하여 작동한다. 부가된 제어신호 또는 자계는 저항의 변화에 의하여 생기는 작동보다 약하므로 증폭작용이 일어난다. 트랜지스터에는 다음의 것들이 포함된다. (1)쌍극성 트랜지스터 (중략) (2)전계(電界)효과 트랜지스터[또한 금속산화반도체(MOS)로 알려져 있다]’라고 해설하고 있음. ㅇ관세율표 제8541.21호 해설에서는 ‘트랜지스터의 전력낭비율은 온도가 25℃로 한정된 용기를 사용하여 디바이스에 특수작용전압을 작용해 주면서 계속적인 전력취급용량을 계량함으로써 측정된다. 예를 들면 트랜지스터를 5볼트의 특수작용전압에 계속적으로 0.2암페어의 취급용량을 부하하여 용기의 온도를 25℃로 유지하면 그 낭비율은 1와트이다(암페어 × 볼트 = 와트).’라고 해설하고 있음. ㅇ본 건 물품은 IGBT 모듈로서 전류 스위칭 기능을 가진 트랜지스터에 해당하며, 전력낭비율이 480와트이므로 관세율표 해석에 관한 통칙 1(제85류 주8, 제8541호의 용어) 및 6호에 따라 제8541.29-9000호에 분류함. |
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