| 참조번호 | 품목분류1과-774 |
|---|---|
| 시행일자 | 2013-04-19 |
| 시행기관 | 관세평가분류원 |
| 결정세번 | 제8541.29-9000호 |
| 품명 | SiC Power Module, BSM120D12P2C005, 1200V, 120A |
| 물품설명 |
ㅇ 물품개요
- 본 물품은 직사각형의 절연체(위에 세라믹기판 부착)가 2개 부착된 4mm 두께의 구리(니켈도금)제 직사각형 금속판(케이스의 외부를 형성)의 4면을 검정색 수지로 박스형상 케이스(122mmX 45.6mmX17mm,핀제외)를 형성. 5개의 다이오드와 5개의 트랜지스터를 알루미늄 선으로 병렬로 연결한 2쌍의 세라믹기판을 상호 직렬로 연결 후 투명한 젤 상의 실리콘으로 충진하여 검정색상 수지제의 커버로 덮음. 또한, 케이스의 길이방향 일면에 구리(니켈도금)제의 3상 단자 2쌍이 매립되어 있으며, 구리(니켈도금)제의 강전단자(사각형모양으로 가운데가 원형으로 뚫여 있고, 밑에 너트가 놓여있음)가 케이스의 네 모퉁이 윗부분에 형성되어 있는 물품임. ㅇ 구성요소 - 구조 및 형태 - 구성요소의 재질 및 역할 케이스 : PPS, 제품의 외장 SiC MOSFET : SiC, 스위칭소자(트랜지스터) SiC SBD : SiC, 스위칭소자(다이오드) 세라믹기판 : CERAMIC/Cu, 기판 본딩와이어 : AL, 통전을 위한 선재 강전단자 : Cu/Ni, 전력의 입출력 단자 신호단자 : Cu/Ni, 스위칭소자를 제어하기 위한 단자 실리콘 젤 : 스위칭소자와 본딩와이어를 보호하기 위한 봉입재 커버 : PPS, 제품의 외장(덮개) Cu베이스 : Cu/Ni, 세라믹기판을 실장하는 금속판, 열전도성 양호 ㅇ 전력낭비율 Total Power Disspation(conditions tc=25℃) 690W ㅇ 제조공정 - 투입 → 웨이퍼 처리공정 → 다이본딩 → 케이스접착 → 와이어본딩 → 젤투입 → 젤경화 → 커버부착 → 검사 ㅇ 용도 - SiC DMOS(Deep trench MOS)와 SiC SBD(Schottkey Barrier Diode)로 구성된 Half Bridge Module로 전력을 변환하고 제어하는 각종 전력변환장치에 스위치 소자로 사용 |
| 결정사유 |
- 관세율표 제8541호의 용어는 '다이오드ㆍ트랜지스터와 이와 유사한 반도체 디바이스, 감광성 반도체 디바이스(광전지는 모듈, 패널에 조립되었는지 여부와 관계 없이 포함한다), 발광다이오드 및 장착된 압전기 결정소자'이다.
- 관세율표 제16부 주2에 ‘기계의 부분품(제8484호ㆍ제8544호ㆍ제8545호ㆍ제8546호 또는 제8547호의 물품의 부분품을 제외한다)은 이 부의 주 제1호, 제84류의 주 제1호 및 제85류의 주 제1호에 규정한 것 외에는 다음에 정하는 바에 따라 분류한다.’라고 하면서 ‘가. 제84류 또는 제85류 중 어느 특정한 호(제8409호ㆍ제8431호ㆍ제8448호ㆍ제8466호ㆍ제8473호ㆍ제8487호ㆍ제8503호ㆍ제8522호ㆍ제8529호ㆍ제8538호 또는 제8548호를 제외한다)에 포함되는 물품인 부분품은 각 해당 호에 분류한다.’라고 규정하고 있다. - 관세율표 제85류 주2에 ‘제8501호 내지 제8504호에서는 제8511호ㆍ제8512호ㆍ제8540호ㆍ제8541호 또는 제8542호에 규정한 물품을 제외한다.’라고 규정하고 있다. 또한, 제85류 주8에 ‘제8541호 및 제8542호에서 가. “다이오드ㆍ트랜지스터와 이와 유사한 반도체 디바이스”라 함은 전계의 작용에 따른 저항의 변화로 작용을 하는 반도체 디바이스를 말한다. (중략) 이 주에서 규정한 물품을 분류하는 경우 제8541호 또는 제8542호는, 제8523호의 경우를 제외하고, 특히 그 기능으로 보아 해당 물품을 포함하는 것으로 해석되는 이 표의 다른 어느 호보다 우선한다.’라고 규정하고 있다. - 관세율표해설서 제8541호에 ‘다이오드는 단일의 pㆍn접합을 가진 것으로 두개의 터미날을 가진 터미널 디바이스(Terminal Devices)로 이들은 검파용·정류용·개폐용 등에 사용된다.’고 해설하고 있고, ‘트랜지스터는 전류를 증폭·발진·주파수변환 또는 스윗칭 시킬 수 있는 능력을 가진 3단자 소자 또는 4단자 소자이다’라고 해설하고 있으며, ‘디바이스는 단자 또는 도선(導線)을 장착하여 밀봉시킨 것(component)인지의 여부를 불문하고 이 호에 분류된다.’고 해설하고 있다. - 본 물품은 반도체 소자인 MOSFET과 다이오드로 구성된 물품으로, 다이오드의 존재가 스위칭소자로서의 본 물품의 특성을 나타내는 트랜지스터의 주요기능에 아무런 변화를 주지 않고 있으며, - 관세율표해설서 제8541호에 트랜지스터로 열거하고 있는 MOSFET(금속산화물반도체전계효과트랜지스터)은 구조상 다이오드(Body Diode : 기생다이오드)를 항상 내장하고 있으나 주요기능이 스위칭 등을 위한 트랜지스터에 있다고 보아 트랜지스터로 분류하고 있는 등 다이오드와 결합되었어도 트랜지스터로 분류하고 있다. - 따라서, 본 물품을 전력낭비율이 1와트 이상인 기타의 트랜지스터로 보아, 관세율표의 해석에 관한 통칙 1 및 6에 따라 제8541.29-9000호에 분류함. |
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