| 참조번호 | 품목분류1과-1164 |
|---|---|
| 시행일자 | 2011-09-07 |
| 시행기관 | 관세평가분류원 |
| 결정세번 | 제9031.41-9000호 |
| 품명 | Film Thickness Measurement System ; 9010B |
| 물품설명 |
□ 기능 및 용도
300mm Wafer를 이용한 반도체 제조 과정 중 CMP(웨이퍼 표면 연마)공정 전과 후에 Spectroscopic Ellipsometer 방식을 이용하여 막질의 반사도 및 두께를 측정하는 장비로 연산 및 제어를 위한 PC와 같이 제시 ※ Spectroscopic Ellipsometer(분광타원 해석기): 빛의 편광상태의 변화를 측정하여 표면 및 박막구조와 물성,물질의 광물성등 을 측정하는 기기 ㅇ 주요구성요소 - Optic부 : 광원(WHITE LIGHT & UV)를 사용하여 Wafer표면에 빛을 주사하여 반사 및 회절되어 나오는 빛의 Spectrum을 받아들이는 부분으로 광원, 각종렌즈, 검출기 등으로 구성. - Aligner부 : 웨이퍼를 검사하기 위해 Loading을 정확히 하는 장치 - Stage부 : 웨이퍼를 Recognition 되어진 좌표로 이동하여 Optic에 Spectrum을 보낼 수 있도록 하는 부분. - Computer부 : Optic에서 받아들이는 Spectrum을 System의 계산식에 의해 계산을 해내고 계산되어진 값을 Monitor상에 Display 해주는 장치. ㅇ 작동 메카니즘 및 측정원리 - CMP 장비의 Robot가 Wafer를 본 장비의 Stage로 이동 - Aligner를 이용 정확한 위치에 wafer를 정렬. - Optic부에서 원하는 위치에 빛을 조사하고 웨이퍼로부터 반사된 빛을 Detector - 이때 처음 조사된 빛이 웨이퍼로부터 반사될 때 웨이퍼에 증착 된 물질의 영향을 받아 변화하는데, 이 변화의 정도는 빛이 통과한 Film의 굴절률과 두께에 비례함. - 위의 원리를 이용하여 Spectroscopic Ellipsometer(분광타원 해석기)통해 웨이퍼의 박막의 두께를 측정. - 두께측정이 끝나면 Robot가 웨이퍼를 CMP장비로 이동. |
| 결정사유 |
ㅇ 관세율표 제90류 주3에 “ 제16부의 주 제3호 및 제4호는 이 류에도 적용한다.”고 규정하고 있는 바,
- 본품은 본체, 컴퓨터부가 통신-전력케이블 등으로 연결 결합되어 제90류의 측정 기능을 수행하므로 전체를 기능단위 기기(Functional unit)로 분류함. ㅇ 관세율표 제9031호의 용어에 “기타의 측정 검사용의 기기”를 규정하고 있고 - 동 해설서에 이 호에 분류되는 것으로써 “..판 또는 대의 두께를 연속적으로 측정검사하는 장비와, 광학식 표면검사기”등을 예시하고 있음. ㅇ 따라서 본품은 90류의 타호에 분류되지 아니하고 CMP(웨이퍼 표면 연마)공정 전과 후에 Spectroscopic Ellipsometer 방식을 이용하여 막질의 반사도 및 두께를 광학적으로 측정하는 광학기기에 해당하므로 관세율표해설에 관한 통칙1(제90류 주3, 제9031호의 용어) 및 6에 의거 제9031.41-9000호에 분류함. |
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