| 참조번호 | 품목분류2과-2377 |
|---|---|
| 시행일자 | 2010-12-01 |
| 시행기관 | 관세평가분류원 |
| 결정세번 | 8486.10-2000 |
| 품명 | Crystal Growth Furnace (Sapphire Hotzone) Full Assembly |
| 물품설명 |
ㅇ 반도체 디바이스 제조용 실리콘 잉곳 및 LED 제조용 사파이어 잉곳을 성장시키기 위한 도가니 타입의 진공용해결정 성장로의 각 구성요소가 미조립 상태로 제시된 물품
ㅇ 노의 주요 구성부품인 도가니(Crucible), 전기 가열부, 내외부 Shield, Seed holder, 각 파트별 체결 및 조립을 위한 fixing용 부품 등 전기로 본체를 구성하는 모든 부품이 미조립 상태로 제시되었음. ※ 노에 전기를 공급하기 위한 전력공급부와 노의 작동을 제어하기 위한 컨트롤 시스템 및 노 어셈블리를 외장하는 단열재는 국내 조달 ㅇ 작동원리 - 실리콘 또는 고순도의 알루미나(Al2O3)를 도가니(crucible)에 넣고 전기적으로 도가니를 가열하여 도가니 내에서 잉곳이 단결정으로 성장됨. |
| 결정사유 |
ㅇ 본건 물품은 반도체 디바이스 제조용 사파이어 잉곳 및 실리콘 잉곳을 성장시키기 위한 도가니 타입의 진공용해결정 성장로의 각 구성요소가 미조립 상태로 제시된 물품임.
ㅇ 본건 물품은 제시된 상태에서 노의 주요 구성부품인 도가니(텅스텐·몰리브덴 합금), 전기 가열부, 내외부 Shield, Seed holder, 각 파트별 체결 및 조립을 위한 fixing용 부품 등 전기로 본체를 구성하는 모든 부품이 포함된 상태이므로 관세율표해석에관한통칙 2가에 따라 완성된 전기로로 분류할 수 있음. ㅇ 관세율표 제84류 주9 가항에 “제85류의 주8호 가목 및 나목의 ‘반도체디바이스’와 ‘전자집적회로’의 표현은 이 주 및 제8486호에서도 사용된다. 다만, 이 주 및 제8486호의 목적에 따라 ‘반도체디바이스’는 감광성 반도체 디바이스와 발광다이오드를 포함한다."고 규정하고 있고 - 주9‘라항에 “제16부의 주 제1호와 84류의 주 1호의 규정에 따라 적용될 호가 정하여지는 경우를 제외하고, 제8486호의 표현을 만족하는 기계는 이표의 다른 호에 적합한 기계 또는 기기는 이 표의 다른 호에 분류하지 아니하며, 제8486호에 분류한다.”는 우선 규정을 두고 있음 ㅇ 관세율표 제8486호에 “반도체 보울 또는 웨이퍼, 반도체디바이스, 전자집적회로의 제조에 전용 또는 주로 사용되는 기계와 기기, 이 류 주9호 다목에서 특정한 기계와 기기”를 폭 넓게 규정하고 있음. ㅇ 본품은 반도체 디바이스 제조용 사파이어 단결정 및 실리콘 단결정 보울을 성장시키는 장비이므로 관세율표해설에 관한 통칙1(제84류 주9가항, 라항, 제8486호의 용어), 2가 및 6에 의거 단결정 보울을 성장시키는 기계(제8486.10-2000호)로 분류함 |
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