| 참조번호 | 품목분류2과-399 |
|---|---|
| 시행일자 | 2008-11-20 |
| 시행기관 | 관세평가분류원 |
| 결정세번 | HSK 9031.41-9000 |
| 품명 |
Micro Crack Inspection System
[Micro Crack 100 Inspection System(Off-line handling system)] |
| 물품설명 |
□ 물품 개요
○ 태양광 발전을 위한 모듈의 재료로써 얇게 slicing한 Silicon Wafer의 표 면특성을 측정하는 장비로써, ○ 주요한 구성요소로 가시광선 영역의 빛을 방출하는 광원, 이를 검출하는 CCD 카메라, 화면상의 Wafer 표면의 결과 및 측정값을 도출하는 Software 가 내장된 PC 등으로 되어 있음 □ 상세 설명 ○ 구조 및 기능 ● Stage : 시료 장착 ● NIR(근적외선) 발생부 : Sample에 조사 ● CCD Scan Camera(4096pixel) : 투과된 빛을 받아들여 OA system으로 Digitalize화 하여 전송 ● PC : 측정 Data를 분석하여 측정된 이미지 실험결과를 보여줌 ○ 작동원리 ● 얇게 Slicing된 태양전지용 실리콘 웨이퍼가 stage에 장착됨 ● 내부 Conveyer에 의해 광원 조사부로 이동 ● 광원(NIR, 근적외선)이 시료에 조사됨 ● 투과된 결과를 CCD Camera로 capture한다. Capture된 image를 PC로 보냄. ● Image를 분석하여 Crack, Inclusion(이물질), Hole(구멍)의 크기, 위치, 분포 등의 이미지 및 Data를 User에게 제공. |
| 결정사유 |
○ 관세율표 해설서 제8486호에는 “반도체 웨이퍼를 측정(measuring), 검사
(checking, inspecting), 화학분석(chemical analysis) 등의 기계와 기기는 제외한다(제90류)”라고 해설하고 있으며, ○ 관세율표 제9031호는 “기타의 측정 또는 검사용의 기기(이 류의 다른 호에 분류되지 아니한 것에 한한다)” 및 9031.41소호에는 “반도체웨이퍼 및 소자검사용 또는 반도체 소자 제조에 사용되는 포토마스크 또는 레티클 검사용의 것”을 분류하고 있으며 -. 동해설서에 광파간섭계(Interferometers) 및 광학식표면검사기를 해설하고 있음 ○ 본 기기는 NIR(Near Infra Red) 영역(900nm～100nm)대의 파장을 발생 하는 광원장치와 고성능 CCD Scan Camera(4096pixel)기술로 태양전지용 wafer표면에 조사되어지는 광원을 다른 측면에서 Camera로 촬영하여 촬영된 image가 내장되어 있는 PC의 S/W를 통하여 태양전지용 wafer 표면상의 Crack, Inclusion, Hole 크기, 분포 및 위치 등을 검사, 분석하는 기기임. ○ 따라서 본품은 “반도체웨이퍼 및 소자검사용 또는 반도체 소자 제조에 사용되는 포토마스크 또는 레티클 검사용의 것”에 해당되는 기기이므로 HSK 9031.41-9000호에 분류함 |
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