| 참조번호 | 품목분류과-107945 |
|---|---|
| 시행일자 | 2007-04-02 |
| 시행기관 | 관세평가분류원 |
| 결정세번 | 제8486.20-4000호 |
| 품명 | Decoupled Plasma Nitridation(질화막 형성 장비); CENTURA ACP(DPN+) |
| 물품설명 | □ 물품 개요@§ 웨이퍼(Si/SiO2)에 플라즈마 상태의 N2 가스를 침투시켜 웨이퍼 상단부@§(SiO2막)에 질화막(SiON)을 형성시키는 장치@§@§ □ 구조 및 기능(신청인 제시 카다로그) @§ ① Loder port : Wafer가 담겨 있는 Foup이 최초/최후 안착되는 부분으@§로 FI부와 연결된 Moudule@§ ② FI(Factory Interface) : Load port와 TM간 Wafer의 이송을 담당하@§는 Moudule@§ ③ TM(Transfer Moudule) : FI와 각 Chamber간 Wafer의 이송을 담당하@§는 Moudule@§ ④ DPN(Decoupled Plasma Nitridation) : SiO2을 SiON으로 변화시키기 @§위하여 Plasma를 이용하여 Wafer SiO2막 상단에 N2가스를 침투시키는 @§Process가 이루어지는 Chamber@§ ⑤ RTP PNA(Post Nitridation Anneal) : Lamp Heating 방식으로 열처리@§를 진행하여 SiO2막 상단에 침투한 N을 SiON(질화막)으로 안정화 시키는 @§Chamber@§@§□ 동작원리@§ - ①Load Port안에 안착된 Foup(Wafer를 25매 담는 용기)의 Wafer를 ②@§F.I(FACTORY INTERFACE)부의 Robot가 ③T.M(TRANSFER MODULE)로 이송시키@§면@§ - T.M의 Robot에 의해 Wafer가 ④DPN Chamber로 이송되고 Chamber에 N2@§(질소):HE(헬륨) GAS가 Flow되면 RF전원을 걸어 Plasma 형태에서 Wafer표@§면에 형성되어 있는 SiO2막 상단에 N이 침투 됨 @§ - T.M Robot을 이용 ⑤PNA Chamber로 이동,@§ - SiO2 상단부에 N이 침투된 상태의 Wafer를 Lamp Heat와 N2, N2O(아산@§화질소)Gas를 이용, 열처리하여 질화막(SiON)으로 안정화 시킴@§ - 질화막이 형성 된 Wafer는 T.M과 F.I를 거치고 Foup으로 이동 됨. |
| 결정사유 |
ㅇ 관세율표 제8486호에는 “반도체 보울 또는 웨이퍼,반도체디바이 스,전자집적회로 또는 평판디스플레이의 제조에 전용 또는 주로 사용되 는 기계와 기기, 이 류의 주 제9호 다목에서 특정한 기계와 기기 및 부분 품과 부속품”이 분류됨 - 동호 해설서에서 “반도체디바이스 또는 전자집적회로 제조용 기계 와 기기”에는 “막 형성 장비-이 장비는 웨이퍼 가공 공정에서 웨이퍼 표 면에 여러 가지 막을 형성한다. 이러한 막은 완성품 위에서 도체, 절연체 및 반도체 역할을 한다. 이들 막은 표면, 금속 및 epitaxial층의 산화물 과 질화물 등을 포함하고 있다”가 분류되며, - “막 형성 장비”에는 “화학기상증착(CVD, Chemical Vapor Deposition) 장비-이 장비는 높은 온도의 반응 Chamber내에서 적절한 가스 와 결합하여 만들어진 여러 가지 형태의 필름을 증착시키는 장치이다. 이 반응은 열화학적 기상 반응으로 이루어져 있다. 이러한 반응 작용은 대기 압 또는 저압상태에서 이루어질 수 있고 플라즈마 강화를 이용할 수도 있 다”를 예시하고 있음 ㅇ 본품은 Loder port, FI(Factory Interface), TM(Transfer Moudule), DPN(Decoupled Plasma Nitridation), RTP PNA(Post Nitridation Anneal) 등으로 구성되어 있으며, 웨이퍼(Si/SiO2)에 플라즈마 상태의 N2 가스를 침투시켜 웨이퍼 상단부(SiO2막)에 질화막(SiON)을 형성시키는 장비임 ㅇ 따라서, 본품은 관세율표 제8486호의 용어에 따라 제8486.20-4000호 에 분류함. |
| 이미지건수 | 0 |
| 관련 이미지 |