| 참조번호 | 평가분류47281-408 |
|---|---|
| 시행일자 | 2001-05-10 |
| 시행기관 | 관세청 |
| 결정세번 | 9031.80-9091 |
| 품명 | Measuring or Checking instrument, appliance and machines not specified or include elsewhere in this Chapter ; Wafer Analysis Instrument ; RS75/TC(OmniMap RS75) |
| 물품설명 |
ㅇ 웨이퍼표면에 이온을 주입하여 열처리 후 웨이퍼 표면에 주입된 이온의 농도를 분석하여 Mapping으로 표시하거나 그래프로 나타내어 웨이퍼의 안정화를 분석하는 장치로 4개의 Prober를 이용하여 면저항값(Rs)을 측정, 측정된 면저항값을 기준으로 유전율을 이용하여 웨이퍼 표면의 면저항에 따른 이온농도를 산출 및 분석하여 일정한 보정계수로 환산하여 마이크론단위로 표시하는 장비
ㅇ 장비의 구성현황 ① Handler : 웨이퍼를 PC를 통해 작동이 용이하도록 설계 ② Tester : IMP장비에서 이온주입 후에 웨이퍼의 실리콘 격자가 이온주입때 High Voltage 때문에 열처리를 거친 후에 웨이퍼가 핸들러에서 스테이지로 로딩되면 프로버가 웨이퍼에 접촉되어 웨이퍼의 단위면적당 이온주입농도를 측정 |
| 결정사유 |
ㅇ 제9027.80-20호는 점도·포로서티·팽창·표면장력 등의 측정 또는 검사용의 기기는 점도 등은 물질 또는 재료가 갖고 있는 고유의 물리적 특성을 측정하는 기기이나, 본 장비는 웨이퍼 표면의 이온 및 metal의 박막특성(두께)를 측정하는 것으로 이는 재료가 갖고 있는 고유의 물리적 특성을 측정하는 것으로 볼 수 없고,
ㅇ 제9030.82호는 반도체웨이퍼의 측정 또는 검사용의 것으로 이는 제9030호의 전기적 량의 측정 또는 검사방식에 의하여 측정하는 방식이나, 본 장비는 반도체 제조공정중 확산평가중 저항률을 이용한 4-Point Probe방식을 이용한 기기로 불순물(Dopant)을 구성하는 AS, Boron의 박막특성을 측정하는 기기로, ㅇ 제9030.82호는 측정값의 단위가 전기적 측정단위로 표시되나, 당해장비는 두께의 측정단위로 표시되는 기기로 전기적량의 측정 또는 검사용의 기기로 볼 수 없음 ㅇ 따라서, 본 물품은 전기적 방식으로 측정되는 반도체 웨이퍼의 측정 또는 검사용기기는 제9030.82호는 광학식 방식에 의한 웨이퍼의 측정 또는 검사용의 기기는 제9031.41호에 분류되나, - 당해 장비는 반도체웨이퍼 표면위에 불순물의 농도를 유전율을 이용하여 일정한 보정계수로 환산하여 두께단위로 환산하여 표시하는 기기로 다른 호에 게기되어 있지 않은 기타의 측정 또는 검사용의 기기로 HSK9031.80-9091호에 분류한다. |
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