| 참조번호 | 평가분류47310-253 |
|---|---|
| 시행일자 | 2000-03-25 |
| 시행기관 | 관세청 |
| 결정세번 | 8541.50-9000 |
| 품명 | Other semiconductor device ; SILICON CATHODE ; 5mm X 280mm |
| 물품설명 |
질의물품은 Ingot상태로 성장시킨 Single Crystal를 적당한 크기로 절단하여 초음파가공, 연마, 세정 등의 제조공정을 거쳐 만드는 제품으로 두께 5mm,직경 280mm(8")크기로 Gas가 골고루 분사될 수 있도록 수백개의 구멍(509개 × 0.4 또는 0.5의 크기)이 규칙적으로 천공되어 있으며, 쳄버에 장착하기 위하여 외주에 12개 구멍이 있음
주요기능 및 용도는 반도체 제조장치중 플라즈마 건식장비의 플라즈마를 발생시켜 웨이퍼를 식각하는 쳄버내에 설치되어 Gas의 균일분사 역할 및 전극으로써 이용 반도체 제조장치에서 전극의 역할은 진공인 쳄버에 반응성 Gas를 넣고 고주파발생기로 양전극에 고주파를 가하면 양 전극간에 방전이 발생하여 플라즈마가 생성되며 이 플라즈마로 웨이퍼를 식각 또는 증착함 |
| 결정사유 |
ㅇ 본 물품은 플라즈마 건식장비의 웨이퍼를 식각하는 쳄버내에 설치 되어 전극발생과 반응성Gas의 균일분사 역할을 수행하는 물품으로
ㅇ 관세율표 제3818호에는 28류의 원소를 전자공업에 사용하기 위하여 도프처리된 디스크상, 웨이퍼상, 이와 유사한 형상의 것이 분류되는 데 - 본 물품은 구성재질로는 제28류에 분류되는 원소인 규소(Si, 원소 번호14)로 단결정구조이며, 제조방법은 Czochralski 방식으로 석영도가니에서 단결정규소봉을 성장시켜 반도체공정상 디스크상으로 절단(Slicing공정), 천공(초음파사용), 식각, 세정공정 등을 거쳐 제조되는 물품으로 - 실리콘 소재를 전극용으로 사용하기 위하여 소재표면의 저항치를 균일하게 하기 위하여 도프처리외에 가스를 사용한 열확산처리 공정을 거친 물품으로 관세율표 해설서에 따라 제8541호로 분류되어야 하는 물품임 ㅇ 제16부 주2(a)에 제84류 또는 제85류중 어느 특정한 호에 분류되는 물품인 부분품은 각각 당해호에 분류하도록 하고 있으며 관세율표 해설서(e)에서 전기식 부분품은 제85류로 분류하도록 하고 있으므로 동 물품을 제8466호의 부분품세번에 분류할 수 없음 ㅇ 따라서, 본 물품은 디스크상의 물품으로 제28류의 원소(규소)를 전자공업에 사용하기 위하여 붕소(Boron)를 도프처리 및 실리콘 소재를 전극으로 사용하기 위하여 전 표면의 저항치를 균일하게 하기 위한 확산처리(열확산처리)과정을 거친 물품이므로 관세율표 해설서 제8541호 및 제3818호 해설서 규정에 따라 HSK 8541.50-9000호에 분류하는 것이 타당함 |
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