| 참조번호 | 평가분류47281-802 |
|---|---|
| 시행일자 | 2000-09-07 |
| 시행기관 | 관세청 |
| 결정세번 | 3818.00-2000 |
| 품명 | Crystal Wafer |
| 물품설명 |
ㅇ 천연석영을 고온, 고압에서 용해하여 수열합성법으로 재결정시키는 과정에 Dopant 물질인 리튬과 나트륨을 미량 첨가하여 제조한 Rod상태의 합성석영(산화규소)을 지름:76mm, 두께:0.35mm인 원형으로 절단한 후, 일면을 투명하게 연마시킨 디스크 상의 것.
ㅇ 용도 : 휴대폰의 특정주파수를 선별 및 잡음을 제거하는 기능의 Saw Filter제조용. |
| 결정사유 |
ㅇ. 제7104호에 분류되는 압전기용 석영은 기계적 압력을 받으면 전하(電荷)를 발생하는 합성석영의 고유한 성질을 그대로 이용하는 전기기계공업에 사용하나,
ㅇ. 일반적인 합성석영은 결정구조가 느슨하여 반도체용으로 사용할 수 없고, 반도체용의 조밀한 구조를 갖도록 합성과정에 리튬과 나트륨(Dopant물질)을 의도적으로 필요에 의거 미량 첨가한 Dope처리된 합성석영으로 제7104호의 일반합성석영과는 구별됨. ㅇ. 반도체용 합성석영은 천연석과 본질적으로 동일한 화학조성과 결정구조가 아니므로 전기적, 물리적 특성이 다르며, 천연석으로 대체할 수 없는 특성을 갖고 있음., ㅇ. 쟁점물품은 전자공업에 사용하기 위하여 도프처리한 화학화합물(산화규소)의 정의, 용도, 가공방법, 조성이 일치하므로 관세율표 해석에관한 통칙1에 의거 HSK 3818.00-2000호에 분류함. |
| 이미지건수 | 0 |
| 관련 이미지 |