| 참조번호 | 품목분류2과-413 |
|---|---|
| 시행일자 | 2010-08-16 |
| 시행기관 | 관세평가분류원 |
| 결정세번 | 8486.10-2000 (05회 품목분류협의회 결정) |
| 품명 | Crystal Growing Furnaces(단결정 성장기) : OMEGA-M300 |
| 물품설명 |
□ 고순도의 알루미나(Al2O3)를 도가니에 넣고 전기저항열을 이용. 2010도의 고온으로 용융시켜 키로플러스(GOI, Kyropoulos)* 공법으로 무게 85kg, 지름 300MM, 길이 450MM크기의 LED용 사파이어 단결정 을 성장시키는 장비
- 반도체 디바이스 제조용 실리콘 잉곳 및 사파이어 잉곳 제조가능 * 1926년 S. Kyropoulos에 의해 개발된 기술로 seed를 위에서 접촉하여 융액의 온도를 서서히 하강하여 위로부터 결정을 성장하는 방법으로 seed 결정을 회전과 인상을 하지 않고 멈춘 상태에서 세밀한 온도변화에 의해 결정화시키는 방법 □ 구성요소별 상세설명 ㅇ Crucible(도가니) : 원재료인 알루미나(Al2O3)를 2010도의 온도에서 용융 ㅇ Heating Zone : Heater, Shielder로 구성되어 있으며 히터는 저항 방식으로 온도를 높이는 기능을 수행하며, Shielder는 열손실을 막아주고 일정한 온도를 유지하도록 하는 기능을 수행 ㅇ Seed Holder : 사파이어 성장을 위한 Seed를 잡아주며, 성장에 적합한 포인트를 찾아 이동 ㅇ Control : 공정 변수를 조정하여 결정 성장에 알맞은 환경을 자동제어 ㅇ Vacuum pump : 양질의 결정 성장을 위해 챔버내의 가스 및 불순물을 진공으로 제거 |
| 결정사유 |
ㅇ 관세율표 제84류 주9 가항에 “제85류의 주8호 가목 및 나목의 ‘반도체디바이스’와 ‘전자집적회로’의 표현은 이 주 및 제8486호에서도 사용된다. 다만, 이 주 및 제8486호의 목적에 따라 ‘반도체디바이스’는 감광성 반도체 디바이스와 발광다이오드를 포함한다."고 규정하고 있고
- 주9‘라항에 “제16부의 주 제1호와 84류의 주 1호의 규정에 따라 적용될 호가 정하여지는 경우를 제외하고, 제8486호의 표현을 만족하는 기계는 이표의 다른 호에 적합한 기계 또는 기기는 이 표의 다른 호에 분류하지 아니하며, 제8486호에 분류한다.”는 우선 규정을 두고 있음 ㅇ 관세율표 제8486호에 “반도체 보울 또는 웨이퍼, 반도체디바이스, 전자집적회로의 제조에 전용 또는 주로 사용되는 기계와 기기, 이 류 주9호 다목에서 특정한 기계와 기기”를 폭 넓게 규정하고 있음. ㅇ 제8486호의 용어인 “반도체 보울 또는 웨이퍼”를 “물성이 반도체인 보울 또는 웨이퍼”로 해석시 - LED용 사파이어 단결정은 약 800K 온도 대역에서 광 반도체적 특성을 보이는 광반도체 재료이므로 이를 제조하는 장비는 제8486호에 분류되는 반면 - 순수한 실리콘으로 제조되는 진성반도체는 부도체이므로 이를 제조하는 장비는 제8486호에서 제외될 우려가 있음 - 또한 제16부 주9 다항에 “보울 또는 웨이퍼의 핸들링 장비”를 규정하고 있는 바, 모든 보울(예: 루비, 다이아몬드, 수정 등)을 생산하기 위해 사용되는 핸들링(권양, 양하, 하역, 이송 등) 장비 또한 제84류 주9라항의 우선분류 규정에 따라 제8486호에 분류될 소지가 있음 ㅇ 따라서 제8486호의 용어인 “반도체 보울 또는 웨이퍼”는“반도체 디바이스 또는 전자집적회로 제조용 보울 또는 웨이퍼”로 한정적으로 해석함이 타당함. ㅇ 본품은 반도체 디바이스 제조용 사파이어 단결정 및 실리콘 단결정 보울을 성장시키는 장비이므로 관세율표해설에 관한 통칙1(제84류 주9가항, 라항, 제8486호의 용어) 및 6에 의거 제8486.10-2000호에 분류함. |
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