| 참조번호 | 품목분류과-102991 |
|---|---|
| 시행일자 | 2005-02-01 |
| 시행기관 | 관세평가분류원 |
| 결정세번 | 8543.11-0000 |
| 품명 | High current Implanter ; PLAD |
| 물품설명 | ㅇ 물품의 주요 구성부@§- EFEM, Load Lock, Transfer Module : Wafer를 이송 또는 반송하기 위한 @§장치@§- Process Chamber : Wafer에 이온을 주입하기 위한 작업실@§- GDS(Gas Delivery System) : Process Chamber내에 원하는 Gas를 공급하@§기 위하여 Gas Bottle을 설치하는 장치@§- Gas Box : GDS에서 공급된 Gas를 Process Chamber에 조건에 맞는 양으로 @§공급하는 장치@§@§ㅇ 기능 및 용도@§- Process Chamber내에, Variable Anode와 wafer가 놓이는 Platen(cathode)@§을 구성하고, Plazma를 발생시키면@§- Anode에서는 +Ion을 밀어내고, Cathode에서는 +Ion을 끌어당기는 원리를 @§이용하여,@§- wafer에 이온을 주입하기 위한 용도로 사용됨 |
| 결정사유 |
ㅇ 본 물품은 Process Chamber내에, Variable Anode와 wafer가 놓이는 Platen(cathode)을 구성하고, Plazma를 발생시켜 - 반도체 wafer에 이온을 주입하기 위한 용도로 사용됨 ㅇ 관세율표 제8543.11호에서 입자 가속기중 반도체 재료 도핑용 이온주입 기를 게기하고 있고, “이러한 것은 하전입자에 높은 운동의 에너지를 주 기 위한 장치”라고 해설하고 있으며, - 본 물품은 플라즈마상태의 이온들이, 전기적인 극성에 의해 이동되어 웨 어퍼에 주입되는 것으로 반도체재료 도핑용 이온주입기로 사용되는 입자가 속기 이므로 HSK8543.11-0000호에 분류함 |
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