| 참조번호 | 품목분류과-101979 | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| 시행일자 | 2004-11-05 | ||||
| 시행기관 | 관세평가분류원 | ||||
| 결정세번 | 8541.50-9000 | ||||
| 변경내역 |
|
||||
| 품명 | Hall element ; HW-101A | ||||
| 물품설명 | ㅇ Substrate 위에 InSb(안티몬화인듐) 박막을 증착법을 이용하여 제조한 @§반도체 칩(Semiconductor chip)위에 자로(磁路)역할을 하는 Ferrite Yoke@§가 부착된 Hall element를 리드프레임에 장착하여 외부와의 전기회로 연결@§을 위해 와이어 본딩한 후 전체를 패키지 형태로 몰딩한 4단자 물품@§*Hall element: The basic component of a Hall effect sensor that @§converts magnetic field to a lower level electrical signal. When @§used alone is often referred to as a Hall effect generator.자속을 검@§출하는 소자로서 N-type semiconductor임. @§@§ ㅇ 기능 및 용도@§ - 고감도 InSb 홀 소자의 홀 효과(Hall effect)를 이용한 자력감지 기@§능이 있는 물품으로, brushless DC motor, VCR, CD-ROM 등에 결합되어 사@§용되는 물품임@§@§*Hall Effect: 반도체(Hall Element)에 전류가 흐르고 있을 때 전류에 수@§직하게 자장을 가하면 전류와 자장에 각각 수직방향으로 기전력이 발생하@§는 효과(Lorentz 힘: 전류가 흐르고 있는 고체소자에 자장을 가하면 소자@§의 전기저항이 증가하는 것)---제주대학교 마이크로전자학과 제2장 센서@§의 변환기능중에서 발췌@§@§ ㅇ 제조사에서 제출한 물품의 제조 공정@§ - ① Vacuum evaporation@§ - ② Inspection@§ - ③ Wet Process(Ohmic electrode, Bonding electrode, Etching)@§ - ④ Inspection@§ - ⑤ Chip setting@§ - ⑥ Dicing@§ - ⑦ Inspection of pellet@§ - ⑧ Die bonding@§ - ⑨ Wire bonding@§ - ⑩ Transfer Molding@§ - ⑪ Deburring@§ - ⑫ Solder plating@§ - ⑬ Forming@§ - ⑭ Final electrical testing@§ - ⑮ Marking & Taping ⇒ Final Inspection of appearance | ||||
| 결정사유 |
ㅇ 본건 물품은 Substrate 위에 InSb(안티몬화인듐) 박막을 증착법을 이 용하여 제조한 반도체 칩(Semiconductor chip)상에 자로(磁路)역할을 하 는 Ferrite Yoke가 부착된 Hall element를 리드프레임에 장착하여 외부와 의 전기회로 연결을 위해 와이어 본딩한 후 전체를 패키지 형태로 몰딩한 4단자 물품으로서 고감도 InSb 홀 소자의 홀 효과(Hall effect)에 의한 자 력감지 기능을 이용하여 brushless DC motor, VCR, CD-ROM 등에 결합되어 사용되는 물품임 ㅇ 제8541호 관세율표해설서(A)의 다이오드·트랜지스터 및 이와 유사 한 반도체 소자에 대한 설명중에 『이 그룹의 소자의 작용은 어떤 반도체 재료의 전자적 특성에 기초를 두고있는 것으로, 이러한 재료의 주된 특징 은 실내온도에서 그 저항율이 금속도체의 저항율과 절연체 저항율간의 범 위내에 있다는 점이고, 이러한 재료의 예로 “원소의 화화물(예:안티몬화 인듐등의 3가원소와 5가원소의 화합물)로 되어있다』고 해설하고 있음 ㅇ 본건 물품은 Substrate 위에 InSb(안티몬화인듐) 박막을 증착법을 이 용하여 제조한 반도체 칩(Semiconductor chip)위에 자로(磁路)역할을 하 는 Ferrite Yoke를 부착한 Hall element를 패키징한 물품으로서 - 반도체 칩(Semiconductor chip)인 Hall Element는 홀효과(Hall Effect)를 이용하여 자속을 검출하는 소자로서 N-type semiconductor임. - 홀효과(Hall Effect)란 반도체(Hall Element)에 전류가 흐르고 있 을 때 전류에 수직하게 자장을 가하면 전류와 자장에 각각 수직방향으로 기전력이 발생하는 Lorentz 힘을 말하며, Lorentz 힘이란 전류가 흐르고 있는 고체소자에 자장을 가하면 소자의 전기저항이 증가하는 힘을 말함. ㅇ HS 85류 주 5(A)에 "다이오드.트랜지스터와 이와 유사한 반도체 디바 이스"라 함은 “전계의 작용에 따른 저항의 변화로 작용을 하는 반도체 디 바이스를 말한다”고 규정하고 있음. ㅇ 본건 물품은 반도체(Hall Element)에 전류가 흐르고 있을 때 전류에 수직하게 자장을 가하면 전류와 자장에 각각 수직방향으로 소자의 전기저 항이 증가하는 Lorentz 힘을 이용하는 반도체 소자로서, HS 85류 주 5(A) 및 HS 8541호 해설서에 서언에 설명된 반도체 재료의 전자적 특성에 기초 한 물품이므로, 기타 반도체소자가 분류되는 HSK8541.50-9000호에 분류한 다. |
||||
| 이미지건수 | 0 | ||||
| 관련 이미지 |