| 참조번호 | 품목분류4과-13256 |
|---|---|
| 시행일자 | 2023-06-01 |
| 시행기관 | 관세평가분류원 |
| 결정세번 | 8486.90-2040 |
| 연도 | 2023 |
| 회 | 03 |
| 품명 | R AXID (Rotation Unit) ; FJ-0011663 |
| 물품설명 |
ㅇ 물품개요
- 반도체 화학기상증착장비인 CVD(Chemical Vapor Deposition) 전기로(Furnace)* 내부에 결합되는 구성품으로, 자성유체(Magnetic fluid)와 모터, 동력전달장치, 위치센서 등이 하나로 결합되어 있음 * 고온(600~1000℃)에서 산소나 수증기를 웨이퍼 표면에 뿌려 얇고 웨이퍼에 균일한 실리콘 산화막(SiO2) 등을 형성(증착)하는 장비 - 모터와 동력전달장치(웜기어 등)는, 보트(120개의 웨이퍼가 적재되는 장소)를 일정 속도로 회전시켜 원료가스와 열이 웨이퍼 표면에 균일하게 증착될 수 있도록 해주며, - 자성유체 실은, 축(샤프트) 회전시 발생할 수 있는 대기영역과 진공영역의 사이의 미세한 틈을 밀봉함 - 위치센서는, 웨이퍼를 진공 챔버(보트) 내로 이송시 보트의 위치를 정확하게 감지하는 기능을 수행함 |
| 결정사유 |
ㅇ 관세율표 제8486호에는 “반도체 보울(boule)이나 웨이퍼(wafer)·반도체디바이스·전자집적회로·평판디스플레이의 제조에 전용되거나 주로 사용되는 기계와 기기”가 분류되며, 제8486.90호에는 “부분품과 부속품”이 세분류됨
- 같은 호 해설서에 (B) 반도체디바이스나 전자집적회로 제조용 기계와 기기가 포함된다고 하면서, “(1)막 형성 장비(film formation equipment) : 이 장비는 웨이퍼(wafer) 가공 공정에서 웨이퍼 표면에 여러 가지 막을 형성한다. <중략> 아래에 예시한 공정과 장비들은 특정 타입의 막만을 생성하도록 제한된 것은 아니다. - (a) 산화로(爐) : 웨이퍼(wafer) 위에 산화 막을 형성한다. 이 산화물은 인가된 산소와 증기로 웨이퍼(wafer) 최상층 분자 층에 화학반응으로 형성된다. (b) 화학기상증착(CVD : Chemical Vapour Deposition) 장비 : 이 장비는 높은 온도의 반응 체임버(chamber) 내에서 적절한 가스와 결합하여 만든 여러 가지 형태의 필름을 증착시키는 장치이다. 이 반응은 열화학적 기상 반응으로 이루어져 있다. 이러한 반응 작용은 상압(atmospheric pressure)이나 저압상태에서 이루어질 수 있고 플라즈마(plasma) 화학증착을 이용할 수도 있다.”고 설명하고 있음 ㅇ 본건 물품은 일정 압력에서 열(600~1000℃)를 이용해 원료가스와 반응시켜 웨이퍼 표면에 막을 형성하는 반도체 화학기상증착(CVD : Chemical Vapour Deposition) 장비에 결합되는 구성 부품으로, - 화학기상증착 공정에 필수적인, 반도체 웨이퍼를 진공챔버(보트) 내로 이동시 적재될 보트의 위치를 정확히 감지하며, 챔버로 주입된 가스와 열이 웨이퍼 표면에 균일하게 도포될 수 있도록 보트를 일정 속도로 회전시키고, 축 회전시 진공 상태가 유지될 수 있도록 자성유체를 이용해 틈새 부분을 밀봉하는 기능을 동시에 수행하고 있음 ㅇ 따라서, 본건 물품은 반도체 제조용 도포ㆍ현상ㆍ증착ㆍ식각용 기기에 전용 또는 주로 사용되는 부분품과 부속품으로 보아 관세율표 해석에 관한 통칙 제1호 및 제6호에 따라 제8486.90-2040호에 분류함 |
| 이미지건수 | 1 |
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