| 참조번호 | 품목분류2과-1758 |
|---|---|
| 시행일자 | 2009-11-12 |
| 시행기관 | 관세평가분류원 |
| 결정세번 | 8486.20-4000 (09회 관세품목분류위원회 결정) |
| 연도 | 2009 |
| 회 | 09 |
| 품명 | 구리 전기도금 장치 ; Copper Electroplating System ; SABRE 200 |
| 물품설명 |
□ 물품 개요
ㅇ 반도체웨이퍼 제조시 전기도금방식으로 구리막(도체막)을 형성하는 장비 □ 상세 설명 ㅇ 물품구성 ㅇ 구성별 기능 ⓛ Load Port : Wafer를 Loading 및 Unloading 시키는 장치 ② Electroplating Cell : Wafer 표면에 구리(Cu)도금을 진행하는 장치 ③ PEM(Post Electroplating Module) : 도금 후 초순수(DI)로 세정하고, 건조하는 장치 ④ CMS(Chemical Monitoring System) : 도금액 농도를 측정을 하는 장치 ⑤ MDS(Mini Delivery System) : 도금액을 공급하는 장치 ⑥ MCS (Master Control System) : 도금액 공급을 조절하는 장치 ⑦ Chiller : 도금액을 일정 온도로 조절해 주는 장치 ⑧ Controller : 장비를 제어하는 장치 ⑨ Aligner : 공정진행 전 Wafer를 정렬하기 위한 장치 ㅇ 작동원리 - Wafer가 담긴 FOUP을 Load Port에 Loading하면 Robot이 Wafer 1매씩 장비 안으로 이동시켜 Electroplating Cell로 투입 - Electroplating Cell에 Wafer가 투입되면 도금액에 담궈 짐 - Copper Anode에 "+" 전극이 가해지고, Wafer에 "-" 전극이 가해지면 구리(Cu) 이온이 Wafer에 붙어 도금이 진행 - 도금이 완료된 Wafer를 PEM으로 이동시켜 Wafer 표면의 이물질을 세척하고 건조 - 건조된 Wafer는 Robot이 Foup으로 Unloading되고 공정이 완료 ㅇ 기능 및 용도 - 반도체 디바이스 제조용 웨이퍼를 도금조 내에 투입하여 전기 도금 방식으로 웨이퍼에 금속막을 형성하는 기능이 있으며, - 반도체 웨이퍼 상에 구리배선을 제작하는데 사용 |
| 결정사유 |
ㅇ 본 물품은 도금용 챔버에 집적회로가 완성된 웨이퍼를 넣고 도금액을 하부에서 채워 전기화학작용에 따라 웨이퍼 표면에
- 전기도체, 인덕터 또는 패드 역할을 하는 구리 박막을 형성하는 물품임 ㅇ 관세율표해설서에는 막형성 장비로 ‘산화로, CVD, PVD, 분자빔 증착 장비’를 해설하고 있으며, - 반도체제조기술 관련 자료에서는 금속 박막을 형성하는 방법으로 Evaporation, Sputtering, Metal CVD, electroplating 방식이 있음을 예시 ㅇ 본 물품은 회로가 완성된 웨이퍼 표면 위에 범핑용 배선을 구현 할 목적으로, 패턴화된 감광성 재료(PR) 이외의 부분을 전기화학 방식으로 박막을 형성하는 물품으로서, 이러한 도금 방식은 웨이퍼 상에 막을 형성하는 기능에 해당함 ㅇ 관세율표의해석에관한통칙 1 및 6에 의거 반도체 디바이스 또는 전자집적회로 제조용 기기 중 “반도체 웨이퍼상에 막을 형성하는 기기”(HSK 제8486.20-4000호)에 분류함. |
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