| 참조번호 | 품목분류2과-568 |
|---|---|
| 시행일자 | 2009-06-11 |
| 시행기관 | 관세평가분류원 |
| 결정세번 | 제8486.20-2390 (05회 관세품목분류위원회 결정) |
| 연도 | 2009 |
| 회 | 05 |
| 품명 | ㅇ Diffusion ; E2000 HT 300-5 ; Germany |
| 물품설명 |
ㅇ 태양전지 제조용 p형 실리콘 웨이퍼에 n형 원소를 확산(diffusion)시켜 p-n 접합(junction)을 형성하는 장비로, 석영 로(약 2m) 내부 Heating Zone에 설치된 적외선 방전램프로 액체가스인 PoCl3를 약 850°의 온도로 기화시켜 불순물을 확산시키는 장비로 가공대상 웨이퍼 사이즈는 156×156mm, 최대처리능력 시간당 1,700장을 처리함
※PoCl3(포클가스) : 인을 도핑할 때 쓰는 가장 보편적인 액체소스형 기상확산법(CVD)으로 포클가스를 원료로 써서 n층을 형성한다. 이런 확산공정은 첫단계로 선증착과 확산(drive-in)의 두가지 공정을 거친다. 먼저 확산이전에 P2O5를 형성하는 데 약 870°정도에서 10분간 유지시켜 포클가스를 넣은 후, 확산온도에서 실리콘 표면으로 확산되고 농도차에 의해 웨이퍼 속으로 인이 확산된다. 이때 표면에는 PSG산화막이 형성된다. 이후, 온도를 서서히 낮춰주면 웨이퍼의 중금속들은 PSG층으로 들어가는데 이를 gettering라고 한다. 이후 PSG층을 없애기 위해 40°의 염산으로 제거하는데 이때 염산은 표면의 수소 passivation 역할을 돕게된다 |
| 결정사유 |
ㅇ 본 기기는 태양전지 제조용 p형 실리콘 웨이퍼에 n형 원소를 diffusion시켜 p-n junction을 형성하는 장비로, 석영 로(약 2m) 내부 Heating Zone에 설치된 적외선 방전램프로 액체가스인 PoCl3를 약 850°C로 기화시켜 불순물을 확산함
ㅇ 제84류주제9(가)에서 제8486호의“반도체디바이스”는 제85류주제8호 가목 및 나목을 준용하도록 규정하고 있고, 제8541호해설서(B)(2)(i)에서는 태양전지를 해설하고 있으므로 태양전지는“반도체디바이스”에 해당 ㅇ 아울러, 제8486호 관세율표해설서 (B)반도체디바이스 또는 전자집적회로 제조용 기계와 기기 (2)도핑장비 “반도체층의 전도성 또는 기타 특성을 변형시키기 위하여 웨이퍼 표면에 불순물을 주입시키는 장치”에서 이온주입기와 열확산장비를 다음과 같이 해설하고 있음 - 제8486호해설서(B)(2)(a) 열확산장비 “장비내에서 고온 하에서 반응가스에 의해 웨이퍼 표면에 불순물을 주입시킨다” - 제8486호해설서(B)(2)(b) 이온주입기 “가속된 이온빔의 형태로 웨이퍼 표면의 단결정 격자구조내로 불순물을 이동시킨다” ㅇ 제8486.20-3000호에서 규정하고 있는“이온주입기”는 이온빔을 가속시켜 웨이퍼구조내로 불순물을 확산시키는 장비이나, 본건 물품은 밀폐된 석영로 내부에서 액체가스인 PoCl3를 850°의 고온으로 기화시켜 확산시키는 열확산기능을 수행하는 석영로이므로 제8486.20-2390호에 분류함 |
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