| 참조번호 | 품목분류2과-61 |
|---|---|
| 시행일자 | 2009-03-02 |
| 시행기관 | 관세평가분류원 |
| 결정세번 | 제8486.20-9320호 (02회 관세품목분류위원회 결정) |
| 연도 | 2009 |
| 회 | 02 |
| 품명 | - 반도체 웨이퍼 레이저 다이싱기 ; Semiconductor Wafer Laser Dicing System ; ML300 ; JP |
| 물품설명 |
- 완성된 반도체 웨이퍼를 개별 칩으로 절단하기 위해 반도체 웨이퍼 내부에 레이저빔을 집광(focusing)시켜 내부의 변형된 층(단결정 구조 ⇒ 다결정 구조)에 절단선(Scribe Line, 균열층)을 형성함으로써, 다결정으로 변형된 균열층을 따라 반도체 웨이퍼에 형성된 다이를 분리하기 위해 사용되는 장비
- 장비는 메인부분(X, T, Y, Z축, Laser Unit, Microscope unit, Piping Unit, Control unit, Loading unit, Cassette elevator unit, Thermal regulator for water)과 절단용 테이블(cutting table)로 구성 □ 작동원리 : “Stealth Laser Dicing”방법을 사용함 ㅇ Stealth Laser Dicing : Stealth Laser 방법은 웨이퍼를 통과하는 파장대(1064nm)의 IR레이저를 사용하여 레이저빔이 웨이퍼 내부로 조사할 수 있게 집광할 수 있도록 되어 있어 보편적인 레이저의 단점인 표면오염과 고열로 인한 디바이스의 성능 저하 문제가 없으며 실리콘에 가공 레이저를 조사해서 다결정화로 변화시키고 Expander할 때 다결정화된 라인에 따라 분리된다. - 가공용 레이저는 단결정 실리콘에 쉽게 흡수해 만들어지기 때문에 실리콘이외의 재질은 잘 가공되지 않는다. 재질이 실리콘이라도 첨가제가 포함되어 있는 경우에는 레이저의 흡수가 어렵기 때문에 보통의 실리콘 보다 Power를 필요로 하거나 Scan 수를 늘여야 하는 경우가 많다. - 1,000nm영역 이하 파장대에서는 레이저 빔이 통과하지 않기 때문에 보편적인 Dicing(웨이퍼 표면을 열로 녹이는 방법)이 사용되고 1,000nm 이상의 파장대에서는 레이저 빔이 웨이퍼를 통과하기 때문에 Stealth Sawing이 일어나게 된다. - Stealth Laser의 경우는 IR Microscope를 이용하여 웨이퍼의 뒷부분에 레이저 광선을 실리콘 내부에 집광시켜 웨이퍼 패턴을 인식하여 정렬을 실시하고 Laser Dicing을 한다. |
| 결정사유 |
- 본 기기는 칩이 형성된 반도체 웨이퍼 뒷면에서 레이저 빔을 실리콘재질의 반도체 웨이퍼 내부에 집광시켜, 반도체 웨이퍼의 단결정 구조를 다결정 구조로 변형시키고, 균열층(scribe line, 절단선)을 형성시키는 장비로
- 제84류 주9라“..제8486호의 표현을 만족하는 기계는 이표의 다른 호에 분류하지 아니하며 제8486호에 분류한다.”에 따라 제8486호에 분류되는 물품임. - 본 기기의 기능은 ‘제8486호 해설서 (D)반도체디바이스 또는 전자집적회로 제조용기계와 기기’에서 설명하고 있는 “이 호에는 다음의 것도 포함한다. (ⅲ)웨이퍼를 칩으로 분할하는(절단하는데) 사용하는 레이저로 선을 긋는 기기”에 해당하며, 제8486.20호에 분류되는 장비임 - 제8486.20-8호는 “레이저 방식으로 재료의 일부를 제거하여 가공하는 것만 해당”하도록 규정하고 있는 바, 본 기기는 웨이퍼를 절단하기 쉬운 구조로 변형하기 위하여, 웨이퍼 내부로 레이저를 조사하는 과정에서, 웨이퍼 뒷면이 일부 제거되는 방식이나, - 본 기기의 가공부분은 재료의 일부가 제거되는 부분이 아니라(예 : 웨이퍼의 내부 연결구조를 절단, 천공, 마킹 등) 웨이퍼 내부 결정구조를 변형(균열층을 형성)시키는 것이며, 내부 결정 구조 변형은 재료의 일부를 제거하는 방식이 아님 - 따라서 본 기기는 제8428.20-9호에 해당되는 “반도체 웨이퍼의 스크라이빙 또는 스코어링을 위한 다이싱기”이므로 제8486.20-9320호에 분류함 |
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